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雪崩光电二极管（Avalanche Photodiode,APD）广泛应用于光纤通信、激光测距和量子成像等领域中。其中Ge/Si APD由于具有Ge的工作波段......
Advance in the fabrication of ordered Ge/Si nanostructure array on Si patterned substrate by nanosph
The recent process in the fabrication of the ordered Ge/Si quantum dots(QDs)is reviewed.The fabrication step generally s......
采用快速加热、超低压化学气相淀积方法，在（ｎ）－Ｇｅ衬底上外延生长（ｐ）－ＧｅＳｉ－Ｓｉ薄层，首次研制成功了１．３—１．５５μｍ波段的ＧｅＳｉ异质结红外探测器。其主要参数性能优于该波......
文章介绍了硅基光电子器件——ｐ－ＧｅＳｉ／ｎ＋－Ｓｉ异质结电光调制器的初步试验研究之后，给出了所研制调制器的调制深度为９０％时的调制电流约１８０ｍＡ。为了进一步减......
文章以ＧｅＳｉ材料为基础，从理论和实践两方面讨论将波导、调制器、探测器集成在一起的可能性。分析结果表明，三者之间的光集成在理论上是可......
进一步研究二个问题：（１）理论模拟的方法由快速傅里叶束传播法（ＦＦＴ－ＢＰＭ）改为有限差分束传播法（ＦＤ－ＢＰＭ），并比较了两者的优缺点。（２）模拟设计了对象提高为由ＧｅＳｉ合金......
本文给出了分析ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变异质结中应变分布和弯曲的力学模型．该模型将外延层和衬底中的应变分为失配应变和弯曲应变，在假设整个异质结构均......
用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法研究了ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金的低温（≤５００℃）生长动力学问题，所使用的源分别是乙硅烷和固态锗．在恒定的乙硅烷流量（４ｓｃｍ）Ｇｅ源炉温度（１２００℃）下，合金中......
目前,硅基光电集成所需的各个光子学单元已经取得了巨大的突破,并且与现有的微电子工艺完全兼容:硅基光波导在
At present, each ......
采用离子束溅射技术,通过改变Ge的沉积量,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品.利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌......
基于k·p微扰理论,通过引入应变哈密顿量作为微扰,建立了双轴应变Ge/Si_(1-x)Ge_x价带色散关系模型.模型适于任意晶向弛豫Si_(1-x)......
设计了一种Ge/Si波导集成型雪崩光电二极管(APD)。器件采用将Si波导层置于Ge吸收层之下的结构,光经波导层进入吸收层只需一次耦合,......
We present the micro-Raman study of curved Ge_xSi_ 1-x/Ge_ySi_ 1-y heterostructure, and found the strain of the curved t......
利用计算机求解有效折射率的方法，对两种脊形波导进行分析。结果表明，同一结构参数的脊形波导脊上覆盖Ｓｉ层其余部分覆盖ＳｉＯ２层比全覆盖ＳｉＯ２层对......
本文运用分子束外延技术在偏离方向一定偏角的Si(001)衬底上异质外延一定厚度的锗硅合金，从而获得了高密度的垂直于斜切方向的锗硅......
该文简单归纳了GeSi/Si异质结构的电学和光学特性,以及光波导的基本理论,在此基础上,利用多模干涉自像原理,设计了一系列1.3μmGeS......
基于 Ge Si合金的等离子体色散效应 ,研制了一种 Mach- Zehnder干涉型调制器 ,通过对其损耗和调制特性的测试得到 :调制器对 1 .3......
针对5 nm CMOS技术代亟待解决的纳米线释放难题,通过实验探究了HF(6％)∶H2O2(30％)∶CH3COOH(99.8％)=1∶2∶3的混合溶液放置时间对纳米......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
利用超高真空化学气相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统在 ６５０℃生长出表面光亮的 ＧｅＳｉ单晶 在１２００Ｌ／ｍｉｎ分子泵与前级机械系间串接 ４５０Ｌ／ｍｉｎ分子泵，改善了生长环境串接分子泵后生长的......
在研制成功ＧｅＳｉ全内反射型电光开关的基础上，对这种电光开关与ＧｅＳｉ／Ｓｉ ＳＬＳ红外传感器的集成可行性进行了深入探索。......
An ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHV/CVD) system is introduced.SiGe alloys and SiGe/Si multiple quantum we......
An ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHV/CVD) system is introduced.SiGe alloys and SiGe/Si multiple quantum we......
利用超高真空化学相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统在６５０℃生长出表面光亮的ＧｅＳｉ单晶。在１２００Ｌ／ｍｉｎ分子泵与前级机械泵间串接４５０Ｌ／ｍｉｎ分子泵，改善了生长环境。串接分子泵后生长的样......
采用同步辐射X射线对MBE制备的锗硅量子点试样进行了掠入射小角X射线散射（GISAXS，grazing incidence small angle X-ray scattering）......
Using double crystal X-rays diffraction(DCXRD)and atomic force microscopy(AFM),the results of GexSi1-x grown UHV/CVD fro......
ＧｅＳｉ材料是继Ｓｉ和ＧａＡｓ之后出现的一种性能优良的半导体材料。文章综合评述了ＧｅＳｉ材料生长技术的发展、基本特性以及ＧｅＳｉ器件的研究状况，给出了ＧｅＳｉ材料在数......
在超点阵或量井 canbroaden 的拉紧的层的变化在两倍水晶X光检查衍射( DCXRD )的卫星山峰的宽度 pattern.It 是 第0 山峰的宽度是......
利用计算机求解有效折射率的方法，对两种脊形波导进行了分析。结果表明，同一结构参数的脊形波导脊上覆盖Ｓｉ层其余部分覆盖ＳｉＯ２层比全覆盖ＳｉＯ２层......
为了研究器件参数对ＧｅＳｉ ＭＯＳＦＥＴ器件性能的影响，本文在建立一个简单的ＧｅＳｉ ＭＯＳＦＥＴ的器件模型的基础上，对ＧｅＳｉ ＭＯＳＦＥＴ的纵向结构进行了系统的理论分析，确定了纵向结......
在Ｇｅｘ－Ｓｉ１－ｘ电光调制器生探测器已经问世的基础上，提出了一种将它们集成起来的结构，通过原理和工艺技术的分析，认为这种光电集成是完全可以实现......
在研究了Ｓｉ的等离子体色散效应之后，我们预计ＧｅｘＳｉ１－ｘ也会有这一效应，理论分析和实践的结果都表明ＧｅｘＳｉ１－ｘ具有比Ｓｉ更强的等离子体色散效应。......
文章以ＧｅＳｉ材料为基础，从理论和实践两方面讨论将波导、调制器、探测器集成在一起的可能性，分析结果表明，三者之间的光集成在理论上是可行......
分析了几次研制结果发现，注入载流子的收集途径、体电阻和发射区的面积是影响单波导电光开关功的主要因素。在此基础上，提出了一种Ｓｉ基......
提出了Ｇｅ０ ．０５Ｓｉ０ ．９５／Ｓｉ 脊形光波导的等效模型，并在此模型的基础上利用有效折射率的数值解法计算出Ｇｅ０ ．０５Ｓｉ０ ．９５／Ｓｉ 脊形光波导的有效折射率，从而为脊形光波导的......
提出了Ｇｅ０ ．０５Ｓｉ０ ．９５／Ｓｉ 脊形光波导的等效模型，并在此模型的基础上利用有效折射率的数值解法计算出Ｇｅ０ ．０５Ｓｉ０ ．９５／Ｓｉ 脊形光波导的有效折射率，从而为脊形光波导的......
《SMARTer2020》报告显示,如果决策者采取一致行动鼓励使用ICT,则可避免相当于91亿吨二氧化碳的有害温室气体的排放。ICT行业在实......
用分子束外延方法在Si衬底上生长Ge_xSi_(1-x)合金不仅需要赝晶生长,而且还必须是层状生长。要在Si衬底上生长高质量的Ge_xSi_(1-x......
采用ＭＢＥ法在Ｓｉ衬底上生长ＧｅＳｉ异质结，制成ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结探测器。测得 反向击穿电压为１５Ｖ左右，光响应为０．５ｍＡ。......
近日，华为技术有限公司宣布正式加入全球ICT行业最有影响力的环保行业组织GeSI（全球电子可持续发展推进协会）。作为唯一的亚洲会员，加......
11月中旬，华为宣布正式加入全球ICT行业最有影响力的环保行业组织GeSI（Global e—Sustainability Initiative，全球电子可持续发展推进......
Si和Ge是当今微电子和光电子领域最为重要和普遍的半导体材料,不仅具有较高的载流子迁移率和电导率,其低维体系材料的能带结构还可......
