HOMOEPITAXY相关论文
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本文以＜１００＞和＜１１１＞两种取向的金刚石为衬底，用微波ＰＣＶＤ法进行了同质外延实验，考察了衬底取向，反应气体，碳源浓度等因素对外延层形貌与结构的影响，给出......
在＜１００＞取向的金刚石衬底上，用微波ＰＣＶＤ法进行同质外延，掺杂和Ｓｃｈｏｔｔｙ特性的实验研究，总结了反应气体，碳源浓度等因素对外延层形貌、结构的影响，Ｂ／Ｃ比对掺硼......
碳化硅（SIC）是第三代宽禁带半导体材料，在高温、高频、高功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。以CH4、SiH4为反应气体，H2为......
从实验出发,用LPCVD外延系统在偏向<11-20>方向8°的4H-SiC(0001)Si面衬底上,利用CVD技术进行了4H-SiC同质外延生长.外延后在......
在Al(110)表面的同质外延生长中，实验上观察到许多由特殊小面围成的较大的量子点．这些长方盒形的量子点要比外延膜的平均厚度至少高......
为了获得高质量的GaN薄膜材料,研究了金属有机物气相沉积系统中GaN插入层对GaN衬底同质外延层表面宏观缺陷和晶体质量的影响.研究......
利用水平热壁式CVD外延生长技术,在75mm偏向〈1120〉方向4°的（0001）Si-面n型导电衬底上同质外延生长了4H-SiC薄膜.光学显微镜和......
The homoepitaxial growth of multilayer Si thin film on Si(111) surfaces was simulated by Monte Carlo (MC) method with re......
