P型导电相关论文
氧化锌（ZnO）是一种直接宽带隙半导体材料,室温下具有3.37 e V的禁带宽度。相比于第三代半导体材料Ga N,ZnO具有更大的自由激子结合能......
本文采用Al·N共掺的方法在NO-O气氛中制备p型ZnO薄膜,并讨论了薄膜的电学性能随靶材中铝含量以及气氛中NO分压比的变化情况.在靶......
通过在O2气氛下高温后退火,将采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术在蓝宝石衬底上低温生长的n型N-Al共掺ZnO薄膜转化为p型导电......
在碳化硅衬底上通过碳硅共掺杂的方式利用升华法制备出p型氮化铝晶体。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和光致发光(PL)......
采用射频磁控溅射法在富氧环境下制备ZnO薄膜,继而结合N离子注入及热退火实现薄膜的N掺杂及p型转变,借助霍尔测试和拉曼光谱研究了......
缺陷和掺杂影响半导体材料的性质，同时对其应用起到了决定性作用。由于纤锌矿的ZnO是直接带隙半导体，其带隙的宽度为3.37eV，这在原则......
采用溶胶 凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2 薄膜 .x射线衍射测试结果表明 ,掺In的SnO2 薄膜保持SnO2 的金红石结构 .吸......
本工作利用磁控溅射技术在石英衬底上生长出沿c轴择优取向的未掺杂ZnO薄膜,利用X射线衍射,光致发光,X射线光电子谱和Hall效应测量......
ZnO作为一种新型的宽禁带半导体材料有着诸多光电方面的优异特性，室温下的禁带宽度为3.36eV，激子束缚能高达60meV，远远高于室温热能26......
ZnO为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有压电、热电、气敏、光电导等多种性能，在许多领域都有广泛的应用。近年来ZnO在光电领域的应用引......
d0铁磁性是近年来出现的一种新的磁现象，它突破了传统的由部分填充的d或f电子的磁性原子所构成的磁性材料，实现了非磁物质的室温铁磁......
ZnO作为一种直接宽带隙半导体化合物材料，在室温下禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能高达60 meV，在蓝／紫外发光二极管（LEDs）、激光器（LDs）以及......
采用溶胶-凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2薄膜.x射线衍射测试结果表明,掺In的SnO2薄膜保持SnO2的金红石结构.吸收谱测试......
采用将反应物沉淀后涂层及高温固相反应,在石英玻璃衬底上沉积了Cu/Al原子比不同的p型透明导电铜铝氧化物.XRD分析结果表明,样品的......
Li-doped p-type ZnO ceramics were prepared by conventional methods according to the chemical formula Zn1-xLixO2 where x=......
采用直流反应磁控溅射方法，通过改变衬底温度并优化生长参数，在玻璃衬底上生长了In-N共掺P型ZnO薄膜。X射线衍射（XRD）测试表明，所得薄膜......
采用将反应物沉淀后涂层及高温固相反应，在石英玻璃衬底上沉积了Cu／Al原子比不同的P型透明导电铜铝氧化物。XRD分析结果表明，样品的成......
本工作利用磁控溅射技术在石英衬底上生长出沿c轴择优取向的未掺杂ZnO薄膜,利用X射线衍射,光致发光,X射线光电子谱和Hall效应测量......
利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜．主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸......
在SiC衬底上生长了碳硅共掺杂p型AlN晶体,通过X射线衍射、X射线光电子能谱(XPS)、光致发光(PL)光谱、霍尔测试对碳硅共掺杂p型AlN......
氧化锌(ZnO)作为Ⅱ-Ⅵ直接宽带隙(3.37eV)半导体材料,室温下其禁带宽度与氮化镓(GaN)相近,激子束缚能高达60 meV,是GaN(约25 meV)......
ZnO为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，具有压电、热电、气敏、光电导等多种性能，在许多领域都有广泛的应用。近年来ZnO在光电领域的应用引......
氧化锌(ZnO)是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带的直接带隙化合物半导体材料,禁带宽度为3.37eV,激子束缚能60meV,是制备发光二极管和半导体激光器的一......
ZnO是直接带隙的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带氧化物半导体材料。室温禁带宽度3.37eV,对应近紫外波段,且激子束缚能高达60meV,易实现室温或更高温......
作为一种新型Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物半导体材料,ZnO具有禁带宽度大(3.37 eV)、激子束缚能高(60 meV)等优点,非常适用于制备短波长......
众所周知,ZnO是一种重要的宽禁带、直接禁带半导体,室温下的禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能为60meV。近几年,对ZnO纳米结构的研究......
近年以来,为了获得ZnO基LED紫外电致发光,人们对能带带隙工程制备的ZnO垒层和阱层材料做了深入的研究。考虑到Cd和Zn均为+2价元素,......
采用脉冲激光沉积(PLD)法制备出一种新型的p型非晶氧化物-半导体非晶CuNiSnO(CNTO)。CNTO薄膜分别在室温(RT)与300℃的生长条件下......
采用柠檬酸络合的无机盐溶胶-凝胶法,结合自蔓延燃烧制备出铜铁矿结构的CuAlO2粉末。用DSC-TGA、X射线衍射仪、扫描电子显微镜等分......
ZnO是一种直接宽禁带半导体材料,室温禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV。因此可以实现室温下的高效率激子发射以及紫外发光......
采用高功率脉冲反应磁控溅射(HiPIMS)在玻璃基底上沉积Al-N共掺氧化锌(ZnO)薄膜,研究氮气(N2)流量对Al-N共掺杂ZnO薄膜的晶体结构......
期刊
随着半导体技术发展,宽禁带p型透明导电薄膜已成为半导体材料研究的热点之一。SnO2作为一种宽禁带（Eg=3.6-4.0eV）半导体材料,以其优......
ZnO作为一种新型半导体材料,在短波发光二极管（LEDs）、短波激光器（LDs）和紫外探测器领域有着非常广阔的应用前景,和已经产业化的GaN材......
CuCrO2是具有铜铁矿结构的透明导电氧化物，它具有宽的禁带宽度，同时又可以根据能带修饰理论来改造薄膜的能带结构，提高薄膜的电学性质......
