研究了利用减压外延的方法制备Si1-x-yGexCy薄膜的特性及与工艺参数之间的关系,给出了改善表面粗糙度、减少有源区关键尺寸(CD)减......

报道了Si基Si1-x-yGexCy合金生长中C对Ge组分和生长速率的抑制作用,提出一个Si、Ge、C原子的排列构型,从理论上给出了 C对Ge 组......

Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后又一重要的半导体材料。由于 Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性，器件和制程又可与SL工艺兼容，......

用超高真空化学气相沉积方法，在Si(100)衬底上生长掺C高达2.2%的Si1-x-yGexCy合金薄膜，外延层质量良好。用高分辨透射电子显微镜，X射......

采用傅立叶红外吸收光谱(FTIR)和X射线衍射(XRD)研究了超高真空化学气相沉积外延生长的Si1-x-yGexCy三元合金的热稳定性.在比较高......