SiO薄膜相关论文
在100℃和300℃用PECVD法制备Si基SiO薄膜.通过改变SiH和NO气体的配比及流量,调整SiO的折射率和沉积速率.用棱镜耦合器测定SiO的折......
用正硅酸乙酯(ETOS),乙醇(EtOH),水以及盐酸以一定的比例混合配制溶胶(其中盐酸为催化剂).以普通浮法玻璃为衬底,用浸渍提拉法制备......
用Raman微区拉曼谱和SEM研究了等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积的SiO薄膜退火显微形貌.结果表明:SiO薄膜高温破损与Si纳米线(Si......
会议
SiO薄模中的高场诱生缺陷是引起MOS器件特性蜕变以及器件失效的主要原因之一,因此对诱生缺陷进行了广泛的研究[1]。这类缺陷在SiO禁......
微、纳米薄膜材料是大规模集成电路、激光器件、微机电系统的重要组件。薄膜导热特性影响着器件和系统运行的性能和可靠性,因此研......
随着微电子器件线条尺寸的不断减小和芯片面积的持续增加,芯片内部的发热问题已经成为制约其发展的主要因素之一.要有效地解决微电......
该文研究制备大面积多孔SiO减反射薄膜,并采用各种测试手段对它们的结构与性能进行了表征与分析.使用射频溅射和溶胶-凝胶两种方法......
该文采用离子注入技术,在单晶Si中注C,经过高温退火和电化学腐蚀,制备了硅基多孔纳米β-SiC薄膜,还在硅基热氧化SiO薄膜中注Si,制......
该文采用微波(2.45GHz) ECR沉积装置进行了用于平面光波导的SiO及掺Ge的SiO薄膜的制备.在Si基片上温度低于150℃、总气流量小于50s......
该文采用理子限制发光中心模型(QCLC)的观点,对纳米硅及多孔硅的光致发光(PL)作出解释,从而解决目前量子限制模型与实验事实间的种种矛......