氧化增强扩散相关论文
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、......
介绍了双极工艺基区和发射区结构模拟所涉及的物理模型，包括与单种工艺有关的杂质分凝模型、硼的间隙扩散模型及高浓度磷扩散模型等......
本文对知名的集成电路工艺模拟软件ＳＳＵＰＲＥＭ４进行了较仔细的校验，用ＳＳＵＰＲＥＭ４模拟了氧化、扩散工艺，并同实验值进行了比较，模拟值和实验值的偏差在１０％以内，与......
用射频产生的氧等离子体实现了硅的无电极等离子体氧化。研究了氧化膜生长速率对衬底温度、氧气压、衬底离等离子区的距离以及射频......
本文简述了等离子氧化技术,这是国外近年来研究的一种低温、干法氧化工艺。它对于硅和化合物半导体的氧化有着独特的优点,是一种很......
研究了一种适用于亚微米特大规模集成电路(ULSI)的封闭界面局部氧化隔离技术;作者把等离子增强化学汽相淀积工艺用于Si_3N_4/SiO_2......
