氧化铟薄膜相关论文
本文采用反应等离子沉积方法分别制备了锡掺杂的氧化铟(ITO)和钨掺杂的氧化铟(IWO)薄膜,并研究氧气与氩气的比例(Ro)对ITO和IWO薄......
本工作对射频磁控溅射法制备的纯氧化铟薄膜的结构、光、电、磁特性进行了研究。结果表明纯的氧化铟薄膜中存在室温d0铁磁性且......
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本文将数据信息采掘技术用于纳米InO成膜问题研究,试图通过调节可控参数,控制氧化铟半导体薄膜的成膜厚度及薄膜的综合性能.......
氧化铟掺锡透明导电薄膜具有优异的光电特性,引起了人们的广泛关注。本文是以溶胶—凝胶法制备ITO透明导电薄膜及其微细图形为目的......
In2O3是一种重要的n型宽带隙半导体材料,具有较高的可见光透过率和红外反射率,主要应用于光电装置的透明导电薄膜。In2O3纳米结构......
稀磁半导体材料因其同时具有自旋和电荷两种自由度而成为近年来的研究热点。通过掺杂过渡金属元素,In203基半导体会具有良好的电磁......
氧化铟作为新型的气敏材料,得到广泛的关注,主要因为纯的氧化铟就对很多气体具有敏感性,并且通过掺杂处理还可以进一步改善气敏性......
氧化铟作为一种新的N型半导体材料，近年来多有研究，其优异的气敏性能主要表现在:化学性质活跃，对各种危害气体都有很好的响应;工作温......
氧化铟属于宽禁带半导体材料，化学稳定性强.近年来，随着对Sn掺杂In2O3薄膜(即ITO)的研究，因其具有低电阻率和高透光率特性，被广泛应用......
薄膜晶体管在有源矩阵寻址液晶显示器(AMLCD)中处于关键地位,它的研发历来是该领域研究中的重点。非晶硅薄膜晶体管(α-Si TFT)易......
氧化铟是宽禁带半导体材料,本文在室温下用蓝色激光照射氧化铟薄膜,利用THz-TDS系统研究了蓝色激光入射角度相同但激光强度不同和......
针对氧化铟掺铟透明导电膜透过率仅５６％的情况，从理论上探讨了改善措施，设计了双层增透膜和三层增透膜，设计了计算机程序，绘制了透过率随波......
采用sol-gel法制备In2O3薄膜材料,研究了不同制备条件对薄膜电阻的影响;分别用XPS、XRD方法对材料进行了分析,确定了其结构和组成,......
对不同氧流量下用直流磁控溅射法制备的ＩＴＯ薄膜进行退火处理，并对退火后ＩＴＯ薄膜的光电特性进行分析。结果表明，Ｎ２气氛下退火可以改善ＩＴＯ薄膜的结......
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