类氢杂质态相关论文
在有效质量近似下,采用有限差分法研究了 InGaN/GaN/InGaN/GaN球形核壳量子点中类氢杂质基态和激发态的结合能,数值计算了杂质态结......
纤锌矿氮化物(GaN,AlN和AlxGa1-xN)是一种重要的宽禁带半导体,具有良好的化学稳定性和热稳定性,被认为是最有前途的纳米电子和光电......
由于纤锌矿材料中存在着较强的内建电场,本文在考虑内建电场的影响下,运用有限差分法计算了基态和激发态的能量本征值和本征波函数......
在有效质量近似下,用变分法研究了闪锌矿GaN/Al_xGa_(1-x)N单量子点中的类氢杂质态.结果表明量子点中的杂质位置和量子点结构参数(......
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的InxGa1-xN/GaN柱形量子点中类......
在有效质量近似下,运用变分法研究了量子尺寸效应对闪锌矿InGaN/GaN量子点中类氢杂质的施主束缚能的影响.数值结果显示,类氢杂质的......
采用变分方法研究氮化物抛物量子阱(GaN/AlxGa1-xN)材料中类氢杂质态的能级,给出基态能量、第一激发态能量、结合能和跃迁能量等物......
在有效质量近似下，运用变分方法，考虑内建电场（BEF）效应和量子点的三维约束效应，研究了纤锌矿结构的InxGa1-xN／GaN柱形量子点中类氢杂质......
采用变分方法研究GaAs／AlxGa1-xAs有限抛物量子阱中类氢杂质态能量和结合能随外电场和阱宽的变化关系,在计算中考虑了电子有效带质......
在有效质量近似下，运用变分法计算了闪锌矿GaN／AIGaN耦合量子点中类氢杂质的施主束缚能．数值结果显示了类氢杂质的施主束缚能很大程度......
本文研究有限深抛物量子阱中的类氢杂质态和激子及相关问题,共分五个部分: 第一部分,简单综述了抛物量子阱材料的特殊性能和应......
采用变分法研究了在外磁场作用下GaN／AlxGa1-xN无限抛物量子阱（PQW）中类氢杂质态能级，给出不同磁场下杂质态基态能、结合能随阱宽的变......
在纤锌矿结构InGaN/GaN量子阱中存在着由压电极化和自发极化引起的很强的内建电场，它对量子阱的性质有着很大的影响。本论文在有效......
近年来,宽禁带半导体异质结材料由于其在光电子器件方面的显著应用,已经引起了人们的广泛关注。本论文在有效质量近似的理论框架下......
