论文部分内容阅读
近年来，连续时间ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ滤波技术受到广泛注意，这是由于开关电容技术是基于对信号的抽样，所以高频噪声会折叠入基带中。与其它连续时间技术相比，ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ滤波器还有消除非线性，容许大信号运用等优点。该文介绍新型全集成连续时间ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ滤波器的一些研究工作，主要是关于任意阶次畸变的消除、运算放大器有限增益带宽积和ＭＯＳ晶体管分布参量所引起的高频效应及其补偿办法，并提出一种的双二阶节结构。（本刊录）