【摘 要】
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GaN外延层与蓝宝石衬底问的品格系数和热膨胀系数失配导致了GaN/sapphire结构应力的产生。GaN外延层表面处的应力可以由拉曼光谱表示。在拉曼光谱中,GaN/sapphire结构样品A,
【机 构】
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中国科学院半导体照明研发中心,北京 100083
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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GaN外延层与蓝宝石衬底问的品格系数和热膨胀系数失配导致了GaN/sapphire结构应力的产生。GaN外延层表面处的应力可以由拉曼光谱表示。在拉曼光谱中,GaN/sapphire结构样品A,电镀后样品B以及激光剥离后样品c较之于无应力状态下的GaN薄膜的E2模式均向高频方向移动,这表明样品中应力的增加。与此同时,样品C的FwHM较之于样品A,B显著加宽,而且样品C中A1(LO)峰消失,这说明样品C中的位错缺陷显著增加。
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