【摘 要】
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对比研究了波长为1064nm和532nm的皮秒激光制备的黑硅表面微纳米结构特征和光学吸收性质，并将黑硅引入到背面场硅太阳电池的研制中，在n型硅衬底上设计研制了pnlH-型的黑硅太阳能电池。结果表明，两种不同波长的皮秒激光制备的黑硅材料虽然在光学吸收性能上差别不大，但是对太阳能电池性能造成的影响却大不同：与未做黑硅的电池比，在经历完全相同的其它步骤电池工艺情况下，利用1064 nm激光制备的黑硅太阳
【机 构】
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Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, CAS, Beijing 100083,
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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对比研究了波长为1064nm和532nm的皮秒激光制备的黑硅表面微纳米结构特征和光学吸收性质，并将黑硅引入到背面场硅太阳电池的研制中，在n型硅衬底上设计研制了pnlH-型的黑硅太阳能电池。结果表明，两种不同波长的皮秒激光制备的黑硅材料虽然在光学吸收性能上差别不大，但是对太阳能电池性能造成的影响却大不同：与未做黑硅的电池比，在经历完全相同的其它步骤电池工艺情况下，利用1064 nm激光制备的黑硅太阳电池，开路电压和短路电流都下降，而532nm激光制备的黑硅太阳能电池，开压未见下降。
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