【摘 要】
:
石墨烯具有高载流子迁移率,零带隙和高热导率以及常温下可观测的量子霍尔效应等优良特性,由于其独特的光吸收机制,对于制备高速,宽带的半导体光电器件有着很大的吸引力。随着光纤通信向着全光网络发展,探测器作为光纤通信的重要组件,面临着高速,高探测效率,低损耗等要求,石墨烯在这方面的应用研究相继展开,并被认为是最具潜力的方向之一。科学家预言,石墨烯探测器的潜在速率可以达到500GHz以上,目前,国际上已经制
【机 构】
:
State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of
【出 处】
:
第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
石墨烯具有高载流子迁移率,零带隙和高热导率以及常温下可观测的量子霍尔效应等优良特性,由于其独特的光吸收机制,对于制备高速,宽带的半导体光电器件有着很大的吸引力。随着光纤通信向着全光网络发展,探测器作为光纤通信的重要组件,面临着高速,高探测效率,低损耗等要求,石墨烯在这方面的应用研究相继展开,并被认为是最具潜力的方向之一。科学家预言,石墨烯探测器的潜在速率可以达到500GHz以上,目前,国际上已经制备出最高21mA/W探测效率的探测器,进一步提高石墨烯探测器的光吸收率和优化其器件结构,最终提高其速率与探测效率是最终目的与重要研究方向。
其他文献
采用原位光辐照的MOCVD方法在c面蓝宝石衬底上制备ZnO薄膜。SEM表面照片表明,随着光辐照强度的增加,ZnO纳米柱的横向尺寸变大。从热力学和晶体生长动力学角度分析,认为光的辐照引入的热效应使衬底进一步升温,缓解晶格失配,使ZnO纳米柱趋向于横向生长以降低表面能:同时,更高的温度以及高能光子和表面原子的非弹性碰撞都有利于表面原子迁移,促进纳米柱侧向生长。室温PL测试结果预示着大尺寸ZnO纳米柱内
采用磁控溅射(magnetron sputtering)方法生长了磁隧道结结构,通过优化溅射方法和400℃真空退火改善了磁隧道结中MgO层的结晶质量。借助X射线衍射(XRD)分析发现,利用不同靶材溅射生长Mg0薄膜所得到的结晶质量是不同的。利用MgO靶溅射生成的是常规的晶格常数为0.421nm的MgO薄膜,结晶质量较差;通过改变溅射方法,利用Mg靶通O2的溅射生成的MgO薄膜结晶质量有大幅度的提高
以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底、用化学水浴沉积法(CBD)制备了具有规则阵列结构特性的CdS/Si-NPA纳米复合体系。结果表明,组成CdS/Si表面阵列的每个柱子均呈现核壳结构。CdS/Si-NPA纳米复合体系在300-800nm波长范围内反射率均小于6%。退火后光致发光谱(PL)均由退火前的双峰变为单一蓝峰。电致发光谱(EL)随电压的升高,峰位蓝移,且峰值增加。
本文采用HHNEC0.18um标准CMOS工艺设计实现了多个1Kb容量的阻变存储器电路。针对WOx阻变材料的操作特性特点,提出了可切换的写电路以及自调节的读参考电路,实现了Unipolar与Bipolar兼容操作的需求的同时提高了读操作的成功率。引入位线限流模块解决了set过程需要字线限流的问题,进而可以实现‘0’和‘1’多bits数据的同时写入。芯片采用高低两种电压设计,同时包含多种阵列尺寸结构
近年来,金属纳米结构中的表面等离子(SPs)与紫外、可见和近红外光子的耦合已有大量的研究报道,并在光电子器件中得到了重要应用。但是,在中红外波段光子与SPs的相互作用的研究报道很少,原因之一是在中红外波段尚缺少合适的纳米材料。利用由闪锌矿CdTe (111)极性面提供的高浓度电子作为表面等离子激元,研究其与窄带隙半导体PbTe发出的中红外光子的作用。 CdTe和PbTe结构都是面心立方晶体,晶格
经Al+注入的4H-SiC(0001)晶片需要采用高温退火来消除晶格损伤以及激活离子,为了保护高温退火过程中的4H-SiC表面、抑制其粗糙度的增加,退火时在SiC表面覆盖上一层碳膜。退火之后,在O2气氛下经过1150℃干氧氧化数十分钟,碳膜可以完全去除。AFM测试显示,在退火过程中使用碳膜可以很好地抑制4H-SiC表面变得粗糙,退火前样品表面粗糙度为0.2 nm,退火后表面租糙度为1.0 nm.利
采用二次转移衬底技术制作了电注入氮化物谐振腔器件,其谐振腔的结构包括InGaN/GaN多量子阱、30 nm厚的ITO透明导电薄膜层和两个具有高反射率的介质膜DBRs。在ITO和DBR之间插入一层厚度为40 nm的Ta2O5层使得ITO置于光场的波节,这样谐振腔器件的Q值达到1720。进一步对激光剥离后的GaN表面采用化学机械抛光后,其表面的粗糙度减小到0.6 nm,最终所制作的谐振腔器件的Q值高达
在碳化硅(SiC)器件制造技术中干法刻蚀是一个不可逆的关键工艺,刻蚀条件的变化造成SiC表面的粗糙度也出现明显不同。而对SiC的感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀来说,有光刻胶(PR)、镍(Ni)、铝、二氧化硅(SiO2)介质等多种掩膜方法。其中,用Ni金属作为掩膜刻蚀SiC或介质易形成接近垂直的台阶,而采用光刻胶掩膜刻蚀SiC或介质则易形成缓坡台阶。本论文通过对Ni金属掩膜下采用ICP刻蚀SiC
对4H-SiC MPS器件的正反向特性进行了二维模拟,并根据模拟结果进行了器件的设计和制造。实验测试结果显示,器件的性能与模拟结果吻合,通过一个简单的JTE结构的设计,使得器件具备优异的反向特性,在反向电压为800V时,漏电流只有1×10-4A。器件在反向工作时最大电场达到Em=3.4×106V/cm.这个值已基本达到4H-SiC的理论极限(通常被认为是2-~4×106V/cm)。采用Ti作为肖特
利用超高真空化学气相沉积设备,在Si(001)衬底上外延生长了4层Ge/Si量子点样品。通过原位掺杂的方法,对不同样品中的Ge/Si量子点分别进行了非掺杂、磷掺杂和硼掺杂。研究了掺杂对Ge/Si量子点表面形貌以及室温光荧光的作用。相比非掺杂的样品,Ge/Si量子点磷掺杂对其形貌影响很小,但其室温光荧光得到了有效的增强。而硼掺杂的样品Ge/Si量子点的密度有所减少且光荧光减弱。磷掺杂增强Ge/Si量