【摘 要】
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提出了一种具有两次“Snapback”特性的新结构LSCR器件。该器件正反向情况下都为LSCR结构，其两次“Snapback”特性，可以极大地抑制正常工作状态下由于意外触发而导致LSCR“Latch-Up”。分析结果表明，该器件可很好实现双向的ESD保护，在宽度为1000μm情况下，抗ESD能力达14000V。设计完成的新结构LSCR可很好地应用于功率器件和功率集成电路中。
【机 构】
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电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 电子科技大学 电子薄膜与集成器
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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提出了一种具有两次“Snapback”特性的新结构LSCR器件。该器件正反向情况下都为LSCR结构，其两次“Snapback”特性，可以极大地抑制正常工作状态下由于意外触发而导致LSCR“Latch-Up”。分析结果表明，该器件可很好实现双向的ESD保护，在宽度为1000μm情况下，抗ESD能力达14000V。设计完成的新结构LSCR可很好地应用于功率器件和功率集成电路中。
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