【摘 要】
：
用Raman微区拉曼谱和SEM研究了等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积的SiO薄膜退火显微形貌.结果表明:SiO薄膜高温破损与Si纳米线(SiNWs)的OAG(Oxide-assisted growth)机制生长相关,并提出了用PECVD法沉积SiO薄膜经过高温退火生长SiNWs的一种无需金属催化,与硅集成工艺兼容的新方法.
【出 处】
：
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
论文部分内容阅读
用Raman微区拉曼谱和SEM研究了等离子体化学气相沉积法(PECVD)沉积的SiO<,x>薄膜退火显微形貌.结果表明:SiO<,x>薄膜高温破损与Si纳米线(SiNWs)的OAG(Oxide-assisted growth)机制生长相关,并提出了用PECVD法沉积SiO<,x>薄膜经过高温退火生长SiNWs的一种无需金属催化,与硅集成工艺兼容的新方法.
其他文献
测量了两种纳米粒子BiS和NiS的光限幅特性和非线性光学响应,测量了非线性吸收特性,数值模拟计算了它们的非线性吸收系数分别为BiS非线性吸收系数β≈9cm/GW,NiS非线性吸收系数β≈8cm/GW.
本文对控制半导体量子点的自组织生长进行了研究.在对平均场模型和非平均场模型计算机模拟结果分析的基础上,提出了利用隔离单元抑制量子点的熟化生长的方法来控制量子点的大小,并对生长过程进行了计算机模拟研究.结果表明通过将衬底表面的吸附原子海分割成一个个独立的隔离单元可以抑制量子点熟化生长,调节量子点的生长速度,达到制备大小均匀、排列有序的半导体量子点阵列的目的.
运用有限积分法软件MAFIA和有限元软件Isfe13d对某耦合腔行波管输入段进行三维数值模拟,计算输入段的S参数和驻波比,将模拟结果与部分实验数据进行验证,得到了比较一致的结果,其平均计算精度在75以内,证实了这两种电磁软件都可用于行波管输入段的数值模拟,在计算精度上为满足工程设计需要做了一些研究.另外将两种模拟软件在计算时间上作了对比.
本文比较二维磁场计算软件CTA和MAFIA 2d、3d计算结果的差别,进行了收敛性分析,模拟了极靴开波导口对各电子注通道区域磁场的影响,为进行三维电子光学的模拟打下了基础.
用1.5维和2.5维软件对超宽带多注速调管的输出特性,电子光学系统进行了设计计算,并对计算结果进行分析.得到了比较好的速调管输出特性.计算结果表明该超宽带多注速调管可以实现的,其带宽10~14﹪,增益40~50dB,效率40~50﹪.
该系统运用一种新的数据处理运算概念,即比例差值算符,揭示了元器件的另一种本征特性-比例差值特性.提供的统一用户接口便于用户实现监测、快速数据采集和分析一体化.该系统适用于薄膜材料缺陷分析和多类半导体器件如二极管、三极管、场效应管、光电器件,以化合物半导体GaAs、InP、GaN等为材料的半导体器件,HEMT、SOI器件、导质结器件、晶片、IC等直流参数测量分析.主要应用于集成电路的计算机辅助设计(
本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP基衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR),并用直接键合技术将生长在InP基上的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱结构组装到GaAs衬底上生长的DBR结构上,对其微结构、发光和电学等物理特性进行了比较系统的研究,发现500℃,62
利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜,双晶X-射线衍射证明其为闪锌矿结构,晶格参数为0.5683nm,据此推导出其Mn含量为7﹪.磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K.观察了低温退火处理对(Ga,Mn)As磁性质的影响,发现生长后退火处理显著提高了其铁磁转变温度,可以达到115K.
采用FHD法在Si片上淀积GeO-SiO薄膜,经过高压掺氢处理以后,用KrF准分子激光脉冲进行辐照,研究其光敏特性.利用可变角椭偏仪(VASE)分析了光照前后薄膜的折射率和吸收损耗变化情况.
绝缘体上的锗硅技术(SiGe on Insulator,SGOI)和以它为衬底开发的应变硅技术(Strained Silicon on Insulator,sSOI)融合了SiGe技术和SOI技术二者的优点,是近年来人们广泛重视的研究热点和硅基集成电路产业进一步发展的重要研究方向,被ITRS列入CMOS技术今后几年发展的路线图.本文综述了SGOI薄膜的多种制备方法和最新研究进展.