火焰水解法相关论文
本文对基于火焰水解法对制备光分路器芯片上包层工艺进行了深入探讨.针对FHD工艺配方和玻璃化的退火工艺,从原理到工艺确定进行阐......
本文利用X-射线粉末衍射图谱、颗粒粒度激光散射分析等技术手段研究火焰水解法制备光纤预制棒沉积层中SiO的晶形、颗粒形貌、颗粒......
本文采用火焰水解法(FHD)在Si片上快速淀积SiO厚膜材料,材料膜厚达到40μm以上,生长速率达8μm/分钟.然后将该材料分别在真空中/空......
采用FHD法在Si片上淀积GeO-SiO薄膜,经过高压掺氢处理以后,用KrF准分子激光脉冲进行辐照,研究其光敏特性.利用可变角椭偏仪(VASE)......
本文提出了一种可能代替传统的利用反应离子刻蚀法(RIE)来制作列阵波导光栅(AWG)的新方法——紫外写入法.对紫外写入法制作AWG的可......
本文采用火焰水解法在Si衬底上淀积了用于光波导下包层材料的SiO膜,然后将其放入高温炉在空气中进行不同温度的退火处理.我们利用......
本文采用火焰水解法在Si衬底上淀积了用于光波导下包层材料的SiO膜,然后将其放入高温炉在空气中进行不同温度的退火处理.我们利用......
本文采用火焰水解法在Si衬底上淀积了用于光波导下包层材料的SiO膜,然后将其放入高温炉在空气中进行不同温度的退火处理.我们利用......
采用火焰水解法(FHD)在Si基上淀积SiO预制材料，然后在真空中/空气气氛中高温处理(1380℃)，制得玻璃化的SiO膜材料；该材料膜厚适中(10～3......
随着光通信的飞速发展,Si基SiO2平面光波导集成器件的应用更加重要和广泛。在Si基上制备高质量的厚SiO2 薄膜,是制作SiO2光波导及......
采用火焰水解法(FHD)在Si片上快速淀积出SiO2厚膜材料,材料膜厚40μm以上,生长速率8μm/min.将该材料分别在真空中和空气中高温致......
采用火焰水解法(FHD)在Si片(4.5cm)上快速淀积疏松多孔的SiO2厚膜材料,淀积速率达8μm/min.然后将该材料分别在真空/空气气氛中高......
综述了以TiCl4为原料制备纳米TiO2的主要方法：氢氧火焰水解法、气相氧化法、气相燃烧法、液相沉淀法、溶胶-凝胶法、微乳液法和水热......
采用火争水解法（ＦＨＤ）在Ｓｉ基上淀ＳｉＯ２预制材料，然后在真空中／空气气氛中高温处理（１３８０℃），制得玻璃化的ＳｉＯ２膜材料；该材料膜厚适中（１０－３０μｍ）、平整度好、光滑透明，适合......
本文采用火焰水解法（FHD）在单晶Si片上快速淀积SiO2/SiO2-GcO2厚膜，再经过高温玻璃化处理，获得了玻璃态的平面波导材料。下包层SiO2膜......
采用火焰水解法在Si 基上淀积SiO2 / GeO2：SiO2 预制材料，然后在真空中/空气气氛中高温处理（1380 ℃）后，制得玻璃化的SiO2 / GeO2：SiO2......
提出了一种可能代替传统的利用反应离子刻蚀法(RIE)来制作阵列波导光栅(AWG)的新方法--紫外写入法.对紫外写入法制作AWG的可行性和......
采用火焰法水解法在Si衬底上制备了厚度约20 μm的波导下包层材料SiO2膜.利用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)及可变入射......
