论文部分内容阅读
本文为了探索材料晶体形态与器件性能的关系及其形成机理.寻求提高器件质量的依据.利用显微设备、电子探针等设备对电子器件引脚可焊接性极差的失效现象进行了分析.
电子器件失效的分析探讨
【摘 要】
：
本文为了探索材料晶体形态与器件性能的关系及其形成机理.寻求提高器件质量的依据.利用显微设备、电子探针等设备对电子器件引脚可焊接性极差的失效现象进行了分析.
【机 构】
：
贵州大学信息工程系,550025
【出 处】
：
第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
：
2005年期
其他文献
本文深入研究了一种非CMP的平坦化方法,它的主要过程包括BPSG热回流,两次旋涂光刻胶以及速率差干法回蚀等步骤.这种方法将热回流技术与旋涂膜层技术结合起来,具有良好的平坦
本文应用有限元分析软件ANSYS9.0模拟了多磁极约束磁增强型反应离子蚀刻装置内部的磁场分布.模拟结果表明,通过磁极的配置及磁化方向的调整,可以改善蚀刻装置内部磁场的强度
利用RT-PCR或PCR技术扩增出新城疫病毒(Newcastlediseasevirus)、禽流感病毒(AvianInfluenza)、传染性支气管炎(Infectiousbronchitisvirus)、、鸡马立克氏病(MareksDisease)
会议
仲夏。榕城沉浸在淡淡的白玉兰清香里。披着金色的朝晖,我走进一座绿荫和鲜花簇拥着的小楼。这里是任曼君大姐的家。任曼君同志是我省一位德高望重的老大姐,一九一三年三月,
目的：克隆表达结核分枝杆菌16KD和38KD重组蛋白,测定其抗原性和特异性. 方法：利用聚合酶链反应(PCR)自结核分枝杆菌基因组DNA扩增16KD和38KD抗原基因,经测序鉴定后克隆于pGE
会议
为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光试验.抛光
会议
自旋极化率,自旋弛豫时间和自旋扩散长度是自旋电子器件的基本性能参数,本文分析了半导体自旋电子器件的原理,以及影响器件性能的关键因素,并重点研究了测量这些主要参数的试
本文介绍了10/100Base-T以太网物理层系统芯片的设计和测试方法,给出了10/100Base-T以太网物理层芯片的流片结果.测试表明,整个系统的功能达到了设计要求.
目的：应用第四代HIV抗原抗体联合诊断试剂(以下简称第四代试剂)检测我国三省(自治区)静脉吸毒人群血清(浆)样本,从而分析第四代试剂检测临床样本的特异性和敏感性.
方法：收