【摘 要】
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采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面租糙度小于0.5nm,其位错密度低于l06cm-3。
【机 构】
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Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronics
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面租糙度小于0.5nm,其位错密度低于l06cm-3。
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利用测得的方形和圆形ln0.18Al0.82N/AlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)不同面积的肖特基电容-电压特性和低漏源电压下的电流-电压特性，发现由欧姆接触工艺和栅偏压所引起的In0.18Al0.82N/AlN界面极化电荷的不规则分布产生了极化库仑场。同AlGaN/AlN/GaNHFET器件一样，该散射机制对方形和圆形的In0.18Al0.82N/AlN/GaN HFET器件中的二维
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通过对器件在Vds=OV条件下进行阶跃电应力测试,研究AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)在负棚压偏置条件下的退化机制。测试结果显示,当超过某一临界应力电压时,AlGaN/GaN HEMTs特性开始显著退化。该实验结果与逆压电极化效应引起晶格缺陷形成,从而导致器件特性退化的理论相符合。阶跃电应力测试结束后,对退化的器件进行特性表征,并将测试结果与器件施加应力之前的特性进行对比。分析表
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