该论文在以前研究的基础上,对无显影气相光刻用了进一步的应用研究,并且从化学角度对其中的现象和结果作出了合理的解释.无显影气相光刻刻蚀氮化硅的反应是亲核取代反应.三级胺与HF结合形成季铵盐得到自由的氟阴离子提高了气相HF亲核进攻的活性;超强酸对氮化硅中氮原子的质子化提高了离去基团的离去能力.因此它们都可以作为诱蚀剂提高亲核反应的速度.光化学反应在曝光区与非曝光区之间形成诱蚀剂浓度差,在刻蚀反应时表现为刻蚀速度差,从而得到了光刻图形.通过对各项工艺参数的优化组合,确定了刻蚀氮化硅的合适工艺条件,在氮化硅表面得到了满意的光刻图形.超强酸催化无显影气相光刻的反应是通过活化底物提高离去基团的离去能力实现的.此时刻蚀反应速度仅与超强酸浓度有关,反应历程为S<,N>1反应.成膜物在此体系中仍起到阻止诱蚀剂逃逸的作用.使用玻璃化温度(Tg)在140ˉ170℃的非光敏树脂人替不饱和聚酯,得到了满意的光刻结果,并且曝光量可由600mJ/cm<2>减少到200mJ/cm<2>.通过控制溶胶-凝胶过程中溶胶溶液的组成、pH值、热处理条件等参数,并选用二甲基甲酰胺(DMF)为干燥控制剂,成功地制备了二氧化硅膜.通过控制无显影光刻的工艺条件,对溶胶-凝胶膜的光刻也得到了满意的实验结果.