LDD注入工艺对40 nm中压NMOS器件HCI-GIDL效应的优化

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ahaqwjtyl

【摘要】

：

基于40 nm CMOS工艺,研究了8 V MV NMOS器件的HCI-GIDL效应的优化.分析了增大LDD注入倾角、二次LDD注入由P注入变为As注入两种措施对电学特性的影响.测试结果表明,两种措施均

【作者】

：

闫翼辰蔡小五魏兰英蔡巧明曹杨杜林

【机构】

：

中国科学院大学,北京100049;中芯国际集成电路制造有限公司(北京),北京100176;安徽继远检验检测技术有限公司,合肥230088

【出处】

：

微电子学

【发表日期】

：

2020年5期

【关键词】

：

HCI-GIDL效应 NMOS器件 LDD注入

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

基于40 nm CMOS工艺,研究了8 V MV NMOS器件的HCI-GIDL效应的优化.分析了增大LDD注入倾角、二次LDD注入由P注入变为As注入两种措施对电学特性的影响.测试结果表明,两种措施均对器件的衬底电流、关态泄漏电流产生较好效果.利用TCAD工具,模拟了LDD注入工艺的优化对掺杂形貌、电场分布和碰撞电离强度的影响.分析了HCI-GIDL效应得以优化的物理机制.

其他文献

鲁棒估计及其在目标跟踪中的应用

实时运动目标跟踪是模式识别、图像处理、计算机视觉、武器制导等领域的重要课题，是序列图像分析和视频理解的基本步骤之一，也是计算机视觉研究的关键技术之一。然而，由于人类对

学位

鲁棒估计运动目标跟踪非参数估计Kalman滤波器模式识别计算机视觉

埋栅型SIT和VDMOS的单粒子烧毁效应对比研究

对埋栅型静电感应晶体管(SIT)和垂直双扩散MOSFET(VDMOS)的抗单粒子烧毁(SEB)能力进行了仿真对比研究.利用Medici软件,仿真得到两种器件发生SEB效应前后的漏极电流响应和发生

期刊

静电感应晶体管垂直双扩散MOSFET单粒子烧毁效应Medici

多失效机理下基于FIDES的MEMS失效率预计研究

针对MEMS在工艺和结构上的新特点以及当前国内外尚未形成与MEMS相关的失效率预计模型的研究现状,基于失效物理方法和现有FIDES标准,提出了一种MEMS失效率预计方法.在MEMS工艺

期刊

MEMS可靠性预计失效物理FIDES

模糊控制及其在喷浆机器人中的应用

本文主要是通过研究PID控制器参数模糊自整定方法，设计了一种模糊PID控制器。首先对模糊控制的基本原理、发展历史、研究现状、发展趋势以及PID控制的原理与参数整定方法进行

学位

PID控制模糊控制模糊PID控制喷浆机器人

针对更精确电迁移预测应用的热耦合模型建模

基于先进逻辑CMOS工艺平台,构建了集成电路热耦合模型,为后端金属线电迁移预测提供更精确的温度变化和分布信息.在建模过程中,为了提高建模和仿真效率,对金属线网络和晶体管

期刊

热耦合模型热传输比率金属线有源区电迁移

CQFP封装引线成形形状及其力学性能研究

陶瓷类四面引脚扁平封装(CQFP)器件因具有节距小、重量大的固有特点而在随机振动过程中常出现失效现象.首先基于典型CQFP封装设计了多种引线成形方案.再以有限元仿真软件分析

期刊

CQFP随机振动引线成形成形形状有限元仿真

0.25 μm栅长GaAs pHEMT栅极高温及关态应力退化机理

GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)的关态栅极漏电流取决于温度与电应力环境.研究了高温与电应力对0.25 μm GaAs pHEMT肖特基特性的影响.该pHEMT的反向偏置栅极漏电流主要

期刊

砷化镓赝配高电子迁移率晶体管栅极漏电流漏电机制

链篦机-回转窑成品球团质量预测模型的研究

随着现代钢铁业的不断发展，对入炉原料的要求日趋严格。球团矿作为人造富矿之一，由于其特有的冶金性能而成为当今冶炼炉料中不可缺少的重要组成部分。球团厂质量的检测大多数是

学位

质量模型球团矿生产数据预测建模

LDD注入工艺对40 nm中压NMOS器件HCI-GIDL效应的优化

与本文相关的学术论文