【摘 要】
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业已得到超临界掺杂N型砷化镓转移电子放大器在实验和数字计算两者之间其结果符合的很好。在计算时把一电极附近的适当降低掺杂考虑在内,那末这个结果便确切地予示了小讯号阻
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业已得到超临界掺杂N型砷化镓转移电子放大器在实验和数字计算两者之间其结果符合的很好。在计算时把一电极附近的适当降低掺杂考虑在内,那末这个结果便确切地予示了小讯号阻抗和伏安特性,包含偏置—产生稳定—不稳定—稳定这一范围。这个结果也证明了用电极控制转移电子放大器的特性方面起主要作用。
The results have been well-matched between the experimental and the numerical calculations that have been obtained for supercritical-doped N-type GaAs transfer electron amplifiers. Taking into account the proper doping reduction around an electrode during the calculation, this result shows exactly the small signal impedance and volt-ampere characteristics, including the range of bias-producing-instability-stability. This result also proves that the electrode plays a major role in controlling the characteristics of the transfer electron amplifier.
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