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采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出Ge纳米线，在氧化铝模板的背面喷全作为催化剂，合成了Ge纳米线，采用原子力显微镜，X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对Ge纳米线进行了分析，Ge纳米线的直径约为30nm，长度超过600nm，对Ge纳米线的生长机理进行了探讨。
氧化铝模板法制备Ge纳米线
【摘 要】
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采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出Ge纳米线，在氧化铝模板的背面喷全作为催化剂，合成了Ge纳米线，采用原子力显微镜，X射线衍射、透射电镜、能量散
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学材料系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2003年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目~~
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