红外光伏Cd_xHg_(1-X)Te探测器的电学性质

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使用Hg扩散方法,制备了克分子组分为0.18—1的外延渐变能隙Cd_xHg_(1-x)Te膜层的p—n结。测量了4.2—300K温度范围内电流—电压、微分电阻、电容与偏压的函数关系,并讨论了载流子的输运机理,包括结内的产生—复合和隧道过程。分析了p—n结的电学性质和光电性质对外延Cd_xHg_(1-x)Te膜层物理和工艺参数的依赖关系。 The p-n junction of epitaxial grated-gap Cd_xHg_ (1-x) Te film with molecular composition of 0.18-1 was prepared by Hg diffusion method. The relationship between current-voltage, differential resistance, capacitance and bias voltage was measured over the temperature range of 4.2-300K. The carrier transport mechanism was discussed, including the intra-junction generation-recombination and tunneling process. The dependence of the electrical and optical properties of the p-n junction on the physical and technological parameters of the epitaxial Cd_xHg_ (1-x) Te film was analyzed.
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