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用大束流密度的钒金属离子注入硅，能够直接合成性能良好的薄层硅化物，随束流密度的增加，硅化钒相生长，薄层硅化物的方块电阻Ｒｓ明显下降吵流密度为２５μＡ／ｃｍ＾２时，Ｒｓ达到最小值２２Ω／□，说明连续的硅化物已经形成。Ｘ衍射分析表明，注入层中形成了Ｖ３Ｓｉ、Ｖ５Ｓｉ３、Ｖ３Ｓｉ５和ＶＳｉ２四种硅化钒。经过退炎后，Ｒｓ明显地下降，Ｒｓ最大可降到９Ω／□，电阻主可小到７２μΩｍ，说明硅化钒薄层质量得到了进