【摘 要】
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电子设备小型化带来的热效应问题,使得提高薄膜材料热导率和降低薄膜与基底的界面热阻成为提高薄膜器件可靠性的关键因素,因此测量薄膜器件热性能成为了电子工业中愈发重要的
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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电子设备小型化带来的热效应问题,使得提高薄膜材料热导率和降低薄膜与基底的界面热阻成为提高薄膜器件可靠性的关键因素,因此测量薄膜器件热性能成为了电子工业中愈发重要的课题.钙钛矿结构的钛酸钡作为一种高介电常数材料,在电子工业中被广泛使用.通过建立一套3ω法测试系统,测试了使用高分子辅助沉积法在SiO2薄膜上沉积的钛酸钡薄膜样品的热导率,并通过不同厚度薄膜热阻与热导率的关系,计算出钛酸钡薄膜的热导率为5.63 W/mK,钛酸钡与SiO2的界面热阻为2.13×10-8 m2W/K.
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