【摘 要】
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通过调节生长参数,在Si（001）衬底表面利用分子束外延（MBE）方法生长得到尺寸小于10 nm的高密度Ge量子点.扩展的X射线吸收精细结构（EXAFS）的研究结果表明,在500℃和550℃制备的小尺寸
【机 构】
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河南大学物理与电子学院微系统物理研究所,中国科学技术大学国家同步辐射实验室
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通过调节生长参数,在Si（001）衬底表面利用分子束外延（MBE）方法生长得到尺寸小于10 nm的高密度Ge量子点.扩展的X射线吸收精细结构（EXAFS）的研究结果表明,在500℃和550℃制备的小尺寸量子点内,GeSi合金的含量分别为75%和80%.经热力学分析,在量子点生长完成后的退火过程中,可能存在Si原子从衬底表面向量子点表面扩散,并和Ge原子通过表面偏析发生混合的过程.另一方面,小尺寸量子点较高的高宽比,也会导致形成较高含量的GeSi合金.
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