硅外延层电阻率测量值一致性研究

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外延层电阻率是外延片的重要特征参数之一。如何准确地测量外延层电阻率,以满足器件研制的需要,是检测人员所关注的一个重要课题,对目前常用的几种外延层电阻率测量方法进行了比较,指出了其各自的优缺点,讨论了测量中存在的问题,针对这些问题,采取了相应的措施,试验和分析结果表明,几种测试 方法的结果获得了相当好的一致性,测量相对误差可控制在5%以内,能够满足现有器件对外延片电阻率精度的要求。
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