【摘 要】
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南京电子器件研究所已研制成X波段两级GaAs FET功率放大器单片集成电路.3dB带宽为6.5-9GHz.7.8GHz下,小信号增益8.5dB;1dB压缩输出功率70mW;4.5dB增益水平下输出功率140mW.芯
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南京电子器件研究所已研制成X波段两级GaAs FET功率放大器单片集成电路.3dB带宽为6.5-9GHz.7.8GHz下,小信号增益8.5dB;1dB压缩输出功率70mW;4.5dB增益水平下输出功率140mW.芯片直流参数合格率较高.芯片尺寸为1.6×1mm.
Nanjing Institute of Electronic Devices has developed a two-stage GaAs FET X-band power amplifier monolithic integrated circuit .3 dB bandwidth of 6.5-9GHz.7.8GHz, small signal gain of 8.5dB; 1dB compression output power of 70mW; 4.5dB gain level output Power 140mW. Chip DC parameters higher pass rate. Chip size is 1.6 × 1mm.
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