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通过对已经过两步(低-高)退火的大直径直拉硅单晶片进行高温快速热处理，研究硅中氧沉淀被高温快速热处理消融的情况．研究证实：高温快速热处理可以显著地消融氧沉淀，氧沉淀消融的决定性因素是热处理温度．另外，讨论了快速热处理消融氧沉淀的物理机制．
高温快速热处理对氧沉淀消融的作用
【摘 要】
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通过对已经过两步(低-高)退火的大直径直拉硅单晶片进行高温快速热处理，研究硅中氧沉淀被高温快速热处理消融的情况．研究证实：高温快速热处理可以显著地消融氧沉淀，氧沉淀消融的
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年10期
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