InGaAs/InGaAsP/InP长波长雪崩光电二极管研究

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiao0mai
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研制了高速、高效、低噪声的InGaAs/InGaAsP/InP长波长(1.0~1.7μm)台面型雪崩光电二极管(φ=75μm),器件采用分离的吸收区、雪崩区和能隙过渡区的SAGM结构。研究了器件最佳结构参数设置、在InP上匹配生长InGaAs、InGa AsP及其厚度和载流子浓度的控制问题。器件最大倍增因子大于50,灵敏度大于0.70μA/μW,暗电流I_D的典型值约为20nA(V_r=0.9V_B)。 A high speed, high efficiency and low noise InGaAs / InGaAsP / InP long wavelength (1.0 ~ 1.7μm) mesa avalanche photodiode (φ = 75μm) was fabricated by using SAGM structure with separated absorption region, avalanche region and energy gap transition region . The optimum structural parameters of the device are studied, and the control problems of InGaAs, InGaAsP and their thickness and carrier concentration are matched on InP. Device maximum multiplication factor greater than 50, the sensitivity is greater than 0.70μA / μW, dark current I_D typical value of about 20nA (V_r = 0.9V_B).
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