【摘 要】
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采用汞蒸汽等离子体阴极溅射法,在一些CdTe衬底上(总面积为20厘米~2)同时生长了碲镉汞外延层。外延层和衬底之间的过渡区很窄(约80毫微米),沿外延层表面(4厘米~2)的组分变化
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采用汞蒸汽等离子体阴极溅射法,在一些CdTe衬底上(总面积为20厘米~2)同时生长了碲镉汞外延层。外延层和衬底之间的过渡区很窄(约80毫微米),沿外延层表面(4厘米~2)的组分变化小于±0.01CdTe克分子分数。在4K到300K之间测量了CdHgTe外延层的霍耳系数。在77K测量,对于在300℃淀积的外延层(Cd组分为0.20克分子分数),得到的结果为:n大约等于5×10~(16)厘米~(-3);霍耳迁移率为12000厘米~2/伏·秒。对于在250℃淀积的外延层的结果为:p=1×10~(17)厘米~(-3);霍耳迁移率为55厘米~2/伏·秒。
HgCdTe epitaxial layers were simultaneously grown on some CdTe substrates (total area of 20 cm ~ 2) by mercury vapor plasma sputtering. The transition between the epitaxial layer and the substrate is very narrow (about 80 nm) and the variation along the epitaxial layer surface (4 cm ~ 2) is less than ± 0.01 CdTe mole fraction. The Hall coefficient of the CdHgTe epitaxial layer was measured between 4K and 300K. At 77K, for an epitaxial layer deposited at 300C (0.20 mole fraction of Cd), the result is: n approximately equal to 5 x 10-16 cm-3; Hall mobility For 12000 cm ~ 2 / V · sec. The results for the epitaxial layer deposited at 250 ° C are: p = 1 × 10 17 cm -3; Hall mobility is 55 cm -2 / V · sec.
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