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垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Vertical Double-diffused Metab-Oxide-Semieonductor Field Transistor,VDMOS)是由Pbody与外延层之间形成的PN结承受电压,由于工艺限制,元胞区域只能设计为突变结,而终端区域最常用的结构为场限环,在原理上也相当于突变结耐压.结合结终端扩展(Junction Termination Extension,JTE)技术,引入缓变结耐压,设计了一款900V的终端结构,实现了992.0V的仿真击穿电压,终端效率