【摘 要】
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在(100)晶向的InP衬底上制作了室温下发射波长为1.25～1.35微米的In_(1-x)Ga_x As_yP_(1-y)/InP双异质结激光二极管。宽接触式激光器得到了3000～5000安/厘米~2·微米的低的归一
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在(100)晶向的InP衬底上制作了室温下发射波长为1.25～1.35微米的In_(1-x)Ga_x As_yP_(1-y)/InP双异质结激光二极管。宽接触式激光器得到了3000～5000安/厘米~2·微米的低的归一化阈值电流密度。在90和300K之间测量了阀值电流密度及激射波长与温度的关系。在室温下,激射波长的温度系数为5埃/K。氧化物条形结构的激光器的连续工作时间已超过2000小时。
An In_ (1-x) Ga_x As_yP_ (1-y) / InP double heterojunction laser diode emitting at a wavelength of 1.25~1.35 μm was fabricated on a (100) crystal InP substrate. Wide contact lasers give low normalized threshold current densities of 3000-5000 amps / cm-2 microns. The threshold current density and the relation between the lasing wavelength and the temperature were measured between 90 and 300K. The temperature coefficient of the lasing wavelength is 5 A / K at room temperature. Oxide bar-structured lasers have been operating continuously for more than 2000 hours.
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