给出了具有二三个量子阱的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了光荧光峰为量子阱中导带子带和价带子带间本征......

用两相液相外延法生长 In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP DH外延片,以 AZ1350i胶模掩蔽,在(001)DH片上,用Br_2:HBr:H_2O=1:25:50作腐蚀......

本文描述了与InP晶格匹配的In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)层的液相外延生长方法。探讨了生长温度及液相组份对外延层参数的影响。提出了......

在(100)晶向的InP衬底上制作了室温下发射波长为1.25～1.35微米的In_(1-x)Ga_x As_yP_(1-y)/InP双异质结激光二极管。宽接触式激光器......

本文的目的是用赝势法研究In_(1-x) Ga_x As_y P_(1-y)的能隙与x和y的函数关系以及它的能带结构.四元合金的赝势参量以二元化合物......

在77—400K温度范围内测量了Ⅲ—V族合金InP和In_(1-x)Ga_(?)AsyP_(1-y)的电子霍尔迁移率.利用迁移率公式,分析了两种材料的散射机......

一引言随着光纤通信技术的发展,发射波长λ=1.3μm光纤损耗小、色散低的光源制造已受到普遍重视。由于外延材料是器件制造的基础,......