中性杂质相关论文
本文给出了从２００Ｋ到１０Ｋ低温下，硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果，建立了理论模型，并对实验结果作出合理解释
In this paper, the......
给出了从２００～１０Ｋ低温下，硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果，建立了理论模型，并对实验结果作出合理解释。
The experimental resul......
研究了无序ＧａＩｎＰ样品的温度依赖关系．在低温ＰＬ谱中，谱线呈单峰结构．随着温度从１５Ｋ升高到２５０Ｋ，谱线半宽从１６ｍｅＶ增大到３１ｍｅＶ，并且发生红移（５２ｍｅＶ），同时强度减小了两个数量级......
回顾了近几年在 Ga N紫外光电导探测器上的研究进展 ,介绍了不同 Ga N光电导紫外光探测器的制备方法、光电参数及工作机理。
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用改良的布里奇曼法制备以碲化铋(Bi_2Te_3)为基并掺入适量中性杂质元素的室温半导体温差电材料,晶体直径为φ19—25mm,其特性具有......
自从锗(锂)、硅(锂)半导体探测器在六十年代发展起来后,国外对其基本性能已研究得比较清楚,此类器件的制备工艺已臻完善,前几年已......
