集电区相关论文
为了获得4H-SiC横向BJT器件高耐压下的高电流增益,文中通过降低漂移区的掺杂浓度(NDRI),使得漂移区内靠近基极方向的电场强度降低,......
摘 要：高职院校《电子电路基础》中“晶体三极管及其放大电路”一部分内容是整个教材的重点内容，所以如何设计和安排这一部分教材的......
将SOI技术优势引入SiGe HBT,可满足当前BiCMOS高速低功耗的应用需求.SOI SiGe HBT作为BiCMOS工艺的核心器件,其频率特性决定了电路......
用半绝缘多晶硅(SIPOS)膜代替了平面器件的二氧化硅钝化层。SIPOS膜是掺杂氧原子或氮原子的化学汽相淀积多晶硅,验证了掺氧多晶硅......
<正>IGBT具有不同的内部结构,不同的特性,因此也对应着不同的应用要求。本文将详细地介绍这些不同的结构,同时,论述这些结构的特性......
从理论分析角度介绍了优化SiGe异质结晶体管速度的方法.结合双板晶体管的工艺限制,介绍了SiGe HBT的基本原理,讨论了SiGe HBT的发......
模拟电子技术基础的精髓就是放大,将微小的信号放大成较大的电流信号。而PN结一般不会直接运用到电路中,但将PN结稍作改变,变成三......
本文用两个最基本的参数,即集电极交流开路时的电压反馈因子η和发射结交流短路时的电流反馈因子σ,描述了双极晶体管基(区)宽(变)......
本文概述了IGBT自发明以来主要的结构改进和相应的性能改进。包括芯片集电结附近（下层）结构改进（透明集电区）、耐压层附近（中层）结构改进......
当工艺上采取必要的表面钝化技术使β随集电极电流I_c人的减小下降较小时,如何提高β的最大值(?)_(max),对超高β晶体管来说,是极......
开发四川的水电资源实现川电外送是中国西部大开的重要内容之一。本文提出了超高压集电区的有关理论和方法，以提高四川电网和外向输......
让集电结势垒区穿通高阻集电区,并利用晶体管的击穿电压等于最大电场为雪崩击穿临界场强的电场分布曲线下的面积这种理论来设计高......
<正>晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近......
本文论述了在常规CMOS工艺下制作Bi-CMOS双极型晶体管的设计方法及制造工艺.首先通过对Bi-CMOS双极型晶体管版图结构的分析,探讨了......
本文通过低频小信号合金型错晶体三极管的设计计算,介绍中、低频小功率合金型晶体三极管的设计方法,决定材料参数和结构参数应考......
本文介绍了对Si/Si_(1-x)Ge_x异质结双极晶体管(HBT)和硅双极结晶体管(BJT)高频性能进行模拟比较的结果,其结构参数是为获得最高f_......
本文研究了少子寿命与开关晶体管主要电参数之间的相互制约关系,探索了少子寿命的控制技术。......
晶体管的基本用途是制作放大器.晶体管放大器的基本单元电路是晶体管电路的基础.讨论晶体管放大器电路一般又从工作点的偏置和稳定......
