全耗尽SOI相关论文
在考虑了隐埋层与硅层的二维效应的基础上提出非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型,该模型计算了在不同硅膜厚度,掺杂......
采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管(MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2薄膜．X射线光电子能谱(XPS)分析结果显示......
提出了一种新的全耗尽SOI MOSFETs阚值电压二维解析模型．通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数，氧化层-硅界面处的......
在非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型的基础上，对阈值电压受隐埋层中二维效应的影响进行了讨论．通过与一维模型的比较，......
提出了一个全耗尽SOlMOSFETs器件阈值电压和电势分布的温度模型．基于近似的抛物线电势分布模型，利用适当的边界条件对二维的泊松方程......
提出了一种简化的全耗尽SOIMOSFET闽值电压解析模型。该模型物理意义明确，形式简单，不需要非常复杂的计算。通过在不同条件下将本文......
