关态电流相关论文
随着集成电路工艺技术的迅速发展,MOSFET的特征尺寸减小至纳米级,器件功耗逐渐成为制约集成电路发展的主要因素之一。隧穿场效应晶......
提出一种新型全耗尽双栅MOSFET,该器件具有异质栅和LDD结构.异质栅由主栅和两个侧栅组成,分区控制器件的沟道表面势垒.通过Tsuprem......
针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insula-tor)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关......
在摩尔定律的指导下,微处理器的集成度不断提高,推动了逻辑开关器件的发展。而在逻辑开关器件中,隧穿场效应晶体管(TFET)突破了金......
提出一种新型全耗尽双栅MOSFET,该器件具有异质栅和LDD结构.异质栅由主栅和两个侧栅组成,分区控制器件的沟道表面势垒.通过Tsuprem......
非晶铟稼锌氧化物材料（Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide,a-IGZO）自2003年提出以来,由于其迁移率高、大面积制备均匀以及可见光......
提出一种能有效抑制背光照影响的非晶硅薄膜晶体管 (a -Si:HTFT)结构。详细地分析了源、漏电极接触区和沟通区内载流子的输运特性......
随着半导体技术的不断发展,Si MOSFET器件的小型化日益接近其物理极限,而具有高迁移率的Ge材料和HfO2等高κ介质由于其在未来MOSFE......
基于器件有源层内纵向电场变化模型,提出了背沟界面能带弯曲量与栅源电压的近似方程,并针对背沟电子传导机制建立器件反向亚阈电流......
