表面势垒相关论文
根据激活过程中光电流变化规律及原位光谱响应测试,模拟了GaAs光阴极表面势垒的形成过程,在光阴极表面双偶极子模型的基础上作了修......
分析了表面状态影响二次电子能谱的机制,通过引入等效表面势垒的方法考虑了这一影响的综合效果.结合内二次电子的产生和出射过程,......
负电子亲和势(NEA) GaN光电阴极具有灵敏度高、暗发射小、发射电子能量分布集中等优点,是非常理想的新型紫外光电阴极。针对目前NE......
气敏半导体薄膜内的载流子浓度与薄膜表面吸附氧密度的关系,可以反映气敏薄膜的敏感性。本文采用刚性能带模型,计算了不同厚度的Zn......
综述了金属氧化物半导体气敏元件的掺杂技术,探讨了掺杂作用的机理,列举了对最典型半导体气敏元件的掺杂以及掺杂对气敏元件灵敏度......
根据多碱光电阴极制备过程中的光谱响应在０．４～０．５μｍ之间光电流减少这一事实，分析了Ｃｓ处理多碱光电阴极的厚度。结果表明，经第一次ＣＳ处理，０．４μｍ处的光......
综述了真空微电子学这一新兴学科的研究方向和主要内容，基本的理论基础，总结了近年来国内外在模拟数值计算和工艺实践中报道的对现有......
提出了利用垂直于固体表面的外电场控制固体中由能带弯曲造成的表面势垒以改善固体的吸附和催化性质的设想。研究了在434K下不同......
通过计算电子到达阴极面时的能量分布和求解电子隧穿表面势垒的薛定谔方程得到了透射式NEA GaAs光阴极发射电子能量分布的计算公式......
采用Cs源持续、O源断续的交替方法成功激活了GaN光电阴极,原位测试了透射模式下的光谱响应曲线,获得了透射模式下高达13%的量子效......
针对反射式GaN光电阴极长波段量子效率衰减较大,短波段量子效率衰减较小的实验现象,在考虑谷间散射的情况下,利用玻尔兹曼分布和基......
针对GaN光电阴极表面势垒对电子逸出几率的影响问题,应用玻尔兹曼分布和基于Airy函数的传递矩阵法计算了GaN光电阴极的电子逸出几......
采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs(8ML)/GaSb(8ML)超晶格中波红外光电二极管。经过(NH4)2S表面钝化后的......
韩国蔚山国立科技大学(UNIST)的一个科研团队利用石墨烯材料创造了一种新技术,大大提高了电子器件中使用的肖特基二极管(金属-半导......
分析了表面状态影响二次电子能谱的机制,通过引入等效表面势垒的方法考虑了这一影响的综合效果.结合内二次电子的产生和出射过程,......
通过主体材料 Sn O2 掺入多种掺杂剂对气敏特性影响的研究 ,得到了对氨气 ( NH3)敏感的材料的较佳配方 ,该敏感材料制作成的气敏传......
以碳纳米管材料作为场致发射电子源的X射线源是近几年国际上的研究前沿。相比传统热电子发射X射线源而言,碳纳米管X射线源具有结构......
利用第一性原理密度泛函的方法对钠原子吸附闭口碳纳米管的场发射性质进行了综合研究,建立了(5,5)闭口碳纳米管吸附不同数量钠原子......
一、引言近几年来,具有p-n结的半导体晶体,在带电粒子的探测方面,巳经得到越来越广泛的应用。与气体电离室和闪烁探测器比较,半导......
测量了可见光和近红外区域半透明多碱金属光电阴极的反射率和透射率。由实测数据计算了半透明光电阴极层的厚度和光学常数。利用已......
我是吉林大学物理系1961年毕业生,毕业后留校当四年多助教.1965年末调到长春市半导体厂工作,至今已有19年.下面结合工作谈一谈自己......
1.引言光伏CMT器件的成结工艺有多种,我们采用组分偏离法曾获得优良的结特性,但工艺重演性差,物理机构复杂。本文打算对热处理过......
本文提出了一种可以直接在GaASMESFET上测定有源层迁移率分布的方法。这种测定迁移率分布的方法是基于半导体的磁阻效应。推导了测......
NEA阴极表现出明显的优越性微光夜视器件的优劣首先取决于光电阴极的性能。优良的光电阴极应具有灵敏度高(量子效率高)、光谱响应......
本文讨论了厚三碱光电阴极在实用光学纤维面板输入窗象增强管中的制备工艺和有关问题。在15只样管中,光电阴极的平均积分灵敏度为3......
我们发展了一种变温光电测试方法,用这种方法可以测量类如MIS隧道二极管结构器件的势垒高度、表面态密度等。对浅结MINP太阳电池......
一、前言近年来,利用扫描电子显微镜(SEM)和扫描透射电子显微镜(STEM)研究结型半导体器件和发光器件(包括表面势垒型器件)方面有......
一、引言 早在第二次世界大战期间,人们就已在雷达中使用微波点接触二极管来进行混频和检波,首先开创了微波半导体接收器件的研究......
本文先对各种阴极的发展作一简单回顾，指出在适应现代电子技术的发展中，各种阴极取得的新发展，新成就，同时指出阴极研究存在的问题。然......
测量了不同掺杂浓度和外延层厚度的Ⅲ-Ⅴ族化合物外延材料的光伏谱。由曲线拟合计算出了外延层的掺杂浓度和少子扩散长度等参数,并......
本文在理论上和实验上发展了变温光电法,借助该法不仅可测量MIS结构器件的表面势垒高度,而且可测量其品质因数n值和界面态密度。该......
本文研究了GeO_2-K_2CO_3和MoO_3掺杂的(Na_(0.3)K_(0.7))NbO_3铁电半导体陶瓷的PTC效应。导出了存在粒间相情况下铁电体表面势垒......
SnO_2、ZnO等金属氧化物的气敏特性通常以它们在不同气氛中电导值的变化来体现。为弄清这类多晶材料及气敏元件电导变化的基本规律......
Heywang假定施主掺杂BaTiO_3陶瓷(BFT)的晶粒边界(GB)存在着二维受主型表面态,这些受主中心能从晶粒表层俘获电子,形成一定数量的......
一、概述自场发射显微镜(Field Emission Microscope,简称FEM)问世以来,它就成为固体表面研究,特别是表面化学研究的有力工具。在......
本文报道了一种SnO_2气敏传感器敏感机理的新模型。SnO_2晶粒表面势垒由3个过程控制:(1)氧吸附(作电子受主)和脱附,(2)还原性气体......
用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟了ＧａＡｓ（００１）面的邻晶面上的分子束外延的生长过程，模拟的基本模型是常用的ＳＯＳ模型，结果显示在Ａ类邻晶面上二维成核模式起主委作用，但在Ｂ类......
测定了三种方法制备的SnO_2粉末的TG和DTA谱图,对SnO_2粉末表面吸、脱附反应进行了动力学分析,并对表面势垒的分析结果与实测的材......
【美国《核学会汇刊》1981年第39卷第90页报道】核能应用的增长和放射源技术的提高,需要发展快速检测和定量分析低水平α放射性核......
叙述了半绝缘砷化镓体单晶表面势垒探测器和碲化镉单晶表面势垒探测器的制备工艺、特性以及它们对低能γ射线~(125)I,~(241)Am,~(......
