单粒子瞬态脉冲相关论文
国内外的航天实践表明,单粒子效应（Single event effect,SEE）是空间环境中诱发卫星异常的主要因素之一,而随着半导体器件工艺尺寸的......
利用脉冲激光对典型模拟电路的单粒子效应进行了试验评估及加固技术试验验证,研究2种不同工艺的运算放大器的单粒子瞬态脉冲(SET)......
逻辑电路中NMOS管或者PMOS管受到高能粒子撞击,会产生单粒子瞬态脉冲错误。针对这种现象,提出一种识别和选择电路中敏感结点的新方......
为了详细地了解纳米MOS电路中单粒子瞬变电荷收集机理,利用ISETCAD软件仿真二维模拟0.18μm NMOS的单粒子瞬态脉冲。通过进行三种......
基于标准0.13μm工艺使用Sentaurus TCAD软件采用3D器件/电路混合模拟方式仿真了buffer单元的单粒子瞬态脉冲。通过改变重离子的入......
针对2T2C铁电存储单元读写电路进行了单粒子翻转效应的仿真模拟,研究了单粒子入射读写电路的不同敏感节点对存储数据的影响,并分析......
利用脉冲激光模拟单粒子效应实验装置研究光电耦合器HCPL-5231和HP6N134的单粒子瞬态脉冲(SET)效应。实验获得了相关器件的单粒子......
通过脉冲激光模拟单粒子效应,对光电耦合器4N49的单粒子瞬态脉冲（SET）效应进行了试验研究。在10V工作电压下,获取了4N49在特定线性能......
基于瞬时电流模型,采用双-双指数电流源法,在65nm工艺节点集成电路基本单元中开展了单粒子效应的电路级仿真。采用器件/电路混合仿......
模拟器件的单粒子瞬态脉冲效应的研究,成为近来国际上单粒子效应研究的热点.针对中国生产的运算放大器SF3503,利用脉冲激光单粒子......
为提高FPGA在辐射环境条件下的抗单粒子脉冲（SET）的能力，设计了一种由多个延时单元和并联逻辑保护单元（Guard Gate，GG）构成的SET脉冲分段......
针对Xilinx FPGA在航天应用中的可行性,文章分析了Xilinx FPGA的结构以及空间辐射效应对FPGA的影响,结合实际工程实践给出了提高其......
利用脉冲激光模拟单粒子效应实验装置研究了通用运算放大器LM124J和光电耦合器HCPL5231的单粒子瞬态脉冲(SET)效应,获得了LM124J工......
脉冲激光被证实能够有效地获得测试器件及电路内部单粒子效应的空间和时间信息,是器件和电路系统抗单粒子效应加固设计及验证的重......
通过三维器件模拟仿真,研究了基于CMOS 0.18μm工艺下标准条形栅和环形栅结构MOS晶体管的单粒子瞬态响应.研究结果表明,单粒子轰击......
数字集成电路在宇宙空间中会受到单粒子效应的影响,随着半导体工艺的进步,器件尺寸不断缩小,单粒子效应也越发显著。单粒子瞬态脉......
