体硅相关论文
国内外的航天实践表明,单粒子效应（Single event effect,SEE）是空间环境中诱发卫星异常的主要因素之一,而随着半导体器件工艺尺寸的......
针对功耗和工作频率对22 nm FDSOI背偏和28 nm体硅体偏电路的偏置能力进行对比和分析.以带有4级分频电路的65级环阵(RO)为例进行后......
就热载流于效应、软失效、体效应及寄生电容等问题将薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件与体硅ＣＭＯＳ器件的进行比较。并阐述薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ技术是低压低功耗集成......
借助半导体工艺模拟软件Tsuprem4和Medici，对耐压500V的体硅N-LDMOS器件进行详细模拟。在模拟过程中，综合考虑了内场限环和场极板技......
在研究体硅CMOS器件的闭锁窗口现象时，发现了一种新的抗闭锁方法——伪闭锁路径法。文章介绍了这种方法的基本原理，开发了一种抗闭锁......
在对体硅CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上,提出了高温体硅CMOS倒相器结构参数设计的考虑,给出......
借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件的衬底浓度、漂移区注入剂量、金属场极板长度等参数与击穿电压之间的关......
利用硅单晶的特殊结构可以设计出不同角度的闪耀光栅,再使用MEMS的紫外光刻、各向异性腐蚀等常规工艺就可以完成硅闪耀光栅的制作.......
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体......
提出了体硅double RESURF器件的表面电场和电势的解析模型.基于分区求解二维Poisson方程,获得double RESURF表面电场的解析表达式.......
介绍了一种制作在普通体硅上的CMOS FinFET。除了拥有和原来SOI上FinFET类似的FinFET结构，器件本身在硅衬底中还存在一个凹槽平面M......
利用三维模拟软件Davinci对体硅FinFET器件进行了详细的模拟。模拟结果显示体硅FinFET器件能够有效的抑止短沟道效应,具有驱动电流......
为了设计一款100V体硅N-LDMOS器件，通过借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件衬底浓度、漂移区参数、金属场极......
与传统的体硅电路比较起来，SOI电路具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等优点。但是由于SOI材料的制作成本比较高，所以原来它的......
