接近式光刻相关论文
本文阐述了硅微尖阵列的制备工艺。实验以直径4英寸的n型(100)晶向的硅片为基片,首先在硅片表面氧化生成一层厚度为250nm的二氧化......
分析了菲涅耳近似模型在接近式光刻模拟中的应用和误差起源,并根据光的标量衍射理论,对菲涅耳近似模型进行了修正,得到了更加准确......
本文根据菲涅尔-基尔霍夫衍射公式对EAM技术进行了模拟计算,推导出了采用EAM技术时硅片表面的光强分布,分析了EAM技术的实用条件及......
该文介绍了Ｘ射线光刻（ＸＲＬ）技术的原理和特点，分析了该技术在未来微电子技术中的应用前景。摩尔定律预测，半导体工业在２００７年将使用线宽为０．１μｍ的光......
根据菲涅尔 基尔霍夫衍射公式 ,推导出斜照明接近式光刻系统中硅片表面的光强分布 ,并在几种条件下进行了模拟数值计算 ,分析了斜......
在基于UV-LIGA 技术的大高宽比微细结构的加工技术中,接近式紫外光刻工艺会因衍射效应而使掩模图形在复制过程中产生图形失真,从而......
针对接近式紫外光刻图形转移中的曝光形状失真问题,基于补偿思想,应用遗传算法,在引起衍射的掩模特征处,通过调整其形状,实现了光......
根据菲涅尔-基尔霍夫衍射公式,推导出斜照明接近式光刻系统中硅片表面的光强分布,并在几种条件下进行了模拟数值计算,分析了斜照技......
在基于UV-LIGA 技术的大高宽比微细结构的加工技术中,接近式紫外光刻工艺会因衍射效应而使掩模图形在复制过程中产生图形失真,从而......
随着微电子机械系统新应用的不断推出,使得特殊制造工艺技术得到空前的发展.在过去的10年里,汽车是微电子机械系统产品商业化的推......
本文从菲涅尔衍射模型出发,在部分相干条件下对集成电路制造工艺所常用的光刻法的原理性限制作了研究。对于接触法光刻技术,本文给......
针对接近式紫外光刻图形转移中的曝光形状失真问题，采用波前分割的方法对掩模图形上的波前进行区域划分，并利用光场相干叠加相互抵消......
近年来,随着MEMS研究及其应用的快速发展,微细加工技术作为其中的一个重要组成部分,获得了长足的进步。UV-LIGA技术是现代微细加工......
用近场菲涅耳理论，分析了接近式曝光法刻制光栅及码盘时，刻划间隙与刻线质量之间的关系；并利用刻线相对对比度的概念给出了确定刻划间......
接近式光刻中一般采用柯勒照明系统，并采用蝇眼透镜形成多点光源均匀掩模面的光场分布．利用基尔霍夫衍射理论及多点光源的衍射光场非......
如今,基于MEMS技术的产品逐渐应用于现代生活的各个领域。在MEMS制造工艺中,由于其器件结构的特殊性,通常选取SU-8胶作为形成高深......
接近式光刻是运用比较长久、技术成熟的一种光学曝光方式,但是在实际的批量生产的过程中有很多因素会影响到光刻后图形质量,导致图......
近年来，微机电系统(MEMS，Micro Electro Mechanical System)研究及其应用的快速发展，推动着微细加工技术的不断改进和提高。UV-LIGA技......
接近式光刻刻划间隙的确定＊付永启（中国科学院长春光学精密机械研究所应用光学国家重点实验室长春１３００２２）０前言接近式光刻法是目前常用的光刻......
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