肖特基势垒接触相关论文
器件采用了SiC衬底上生长的有GaN帽层的掺杂势垒AlGaN/GaN异质结构,Ti/Al/Au欧母接触,Ni/Au肖特基势垒接触,栅长为0.4μm的场调制......
高温存储式验后某种GaAs MESFET的栅－漏极正向和反向漏电流增大。为分析失效机 理，测定了试验前后栅－漏极低压正向电流随温度的变化，定......
利用电子束刻蚀方法(EBL)可以在位地在纳米线的两端蒸镀金属电极，并可以通过调控不同种类、活性的金属对肖特基势垒的界面进行......
将C60薄膜沉积在Al上，制成了Al／C60结构的薄膜二极管。对Al／C60结构的肖特基结构与金属-绝缘层-半导体（MIS）结构的电学特性做了研究。Al......
为了弄清界面态、电徙动、界面扩散及反应对肖特基势垒接触和器件电学特性的影响,我们对以Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAs MESFET进......
已研制了GaAs合金型的肖特基势垒接触。用蒸发含有镍(5～20原子％)的鉑膜和GaAs衬底之间的固—固反应来形成合金层。肖特基势垒接触的......
本文报导了用 x 射线光电发射能谱(XPS)测量砷化镓和七种金属:银、铝、金、铬、铁、锡和钛之间的金属-半导体界面化学。锡和银每一......
