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ＳｉＧｅ 合金具有较高的载流子迁移率与较低的结晶温度， 比Ｓｉ 更适合用作薄膜晶体管（ ＴＦＴ） 。最近，我们已证实，利用Ａｌ２Ｏ３ 作多晶ＳｉＧｅ ＴＦＴ的门绝缘子，可使界面得到......
本文详细分析了MIM有源薄膜器件及阵列的工作原理、工艺过程和器件性能.根据一种液晶有源薄膜器件阵列设计模型,设计和研制出了MIM......
日本精工—埃普森公司已用600℃以下的低温工艺制成9.5英寸多晶硅 TFT 液晶显示板。像素数为1140×1140,对比度为100:1以上。上下......
本文详细分析液晶薄膜晶体管(TFT)有源矩阵单元性能.其中包括薄膜晶体管单元结构特性和液晶单元电容充放电物理过程。通过分析,推......
