硅膜相关论文
本论文以纳米二氧化硅为原料，分散在氯化钙熔盐电解质中(纳米二氧化硅在氯化钙中浓度为0.2mol.L-1)；以石墨片为工作电极，石墨棒为参比......
浮法在线镀膜技术以其产能大、成本低等优势，随着国外这方面技术的成熟，国内在近十多年间，也得到快速发展。本文简单介绍了浮法在线镀......
以正硅酸乙酯(TEOS)、氨水、酒精(EtOH)、去离子水为原料,采用乳胶-凝胶法,在普通玻璃衬底的上表面制备出一层最大粒径在400nm左右......
硅膜是一种重要的材料，在半导体、电子、锂离子电池、医学、尤其太阳能电池领域均有应用。然而传统硅膜制备方法是以有机硅为原料，存......
通过改变氢气对硅烷的稀释比R,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备出具有非晶/微晶相变过渡区的氢化硅薄膜,并研究了所......
绪言: 众所周知,在晶体上施加外力时,其电导率变化的性质为压电电阻效应。在实用方面,其有用的特性大体上都可以从金钢石或者闪锌......
采用气相生长法研制金刚石薄膜正以惊人的速度转向实用化。然而,还存在不少不解之谜。等离子CVD法中这些需要解决的问题大致可归......
在整个硅烷分解化学淀积硅膜的试验温度范围内,都显示出滞流层效应。对数生长速率与温度倒数的曲线分为三段直线。高温区的速率控......
在氢化无定形半导体膜的制造上,一般采用冲击放电等等离子化学气相沉积法。由于高能粒子的冲击,使半导体膜表面或内部形成等离子......
硅片直接键合制作ＳＯＩ结构的工艺研究＝［刊，俄］１９９４，２３（６）．－４６～５４本文研究了硅片热压键合前化学处理原始硅表面对低温下表面半粘附键合质量和ＳＯＩ结构质量的影响。......
本文对表面微机械结构的氧化锌压电薄膜器件的关键工艺进行了研究。研究了表面微机械工艺，探索了合适的工艺规范。对如何在表面微机......
介绍了一种新型结构的整流二极管，即多晶硅／硅结构的二极管。从理论分析和实验结果表明，这种器件的反向恢复时间很短。
A new type o......
本文报道了薄膜ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ材料上全耗尽ＭＯＳＦＥＴ的制备情况，并对不同硅膜厚度和不同背面栅压下的器件特性进行了分析和比较．实验结果表明，全耗尽器件完全......
本文对ＰＥＣＶＤ法淀积原位掺杂多晶硅膜并制备浅发射结进行了实验研究，调查了Ｂ＿２Ｈ＿６／ＳｉＨ＿４比率以及淀积、退火温度等对掺杂多晶硅膜电阻率以及浅发射结形......
在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜,即SOI技术,是近年发展起来研制三维集成电路的一项新技术。本文讨论了利用扫描电子束对淀积在SiO_2上......
双栅（ＤｕａｌＧａｔｅ）ＭＯＳ场效应管所具有的完全对称的独特结构带来一系列电学特性变化引起了人们广泛的研究兴趣。本文利用格林函数法，采用合理的边界条......
对等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）和低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）两种方法制备掺杂多晶硅膜进行了详细的实验研究，通过时两者进行比较，对淀积的动力学特......
本文研究了多晶硅应变膜压力传感器制作技术,提出了防止多晶硅应变膜变形的工艺条件,研制出了多晶硅应变膜压力传感器。这一技术简......
用平面和横断面电子显微术研究了反射条结构激光再结晶ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）的微结构和微缺陷，实验观察表明，正常工艺条件下，经激光再结晶处理后硅膜可分为......
针对微型双岛硅膜制作中的凸角削角腐蚀问题，提出了一种新的削角补偿方法一“两端矩形补偿法”，并在感压膜尺寸仅为０．７２ｍｍ×１ｍｍ的双岛硅膜制作......
机械部“八五”攻关项目—厚度可控单晶硅膜制造技术研究,由上海冶金所历经4年时间,于1995年10月通过了机械部和中科院鉴定,专家......
用载流子连续方程研究了一个侧面设置高复合区的双注入P~+πN~+器件的压磁电效应,给出了伏安特性与压力和磁场强度的函数关系.结果......
介绍了多晶硅压力传感器的温度特性．重点研究了ＬＰＣＶＤ·Ｐｏｌｙ－Ｓｉ膜的掺杂浓度对传感器温度特性的影响．通过理论分析和实验研究，找到了实现传感器温度......
本文叙述了多晶硅薄膜的制备以及作为集成电路中的负载电阻的基本原理。重点阐述在高频、低功耗、高速双极模拟超大规模集成电路制......
本文利用薄膜双栅ＳＯＩ器件在阈值电压附近硅膜中的常电位近似，得到一个通用的薄膜双栅ＳＯＩ器件电流模型．数值模拟结果与实验值吻合较好．文中特......
ＳＯＩ材料技术的成熟，为功耗低、抗干扰能力强、集成度高、速度快的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件的研制提供了条件。分析比较了ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件与体硅器件的差异，介绍了国外薄......
Z99-51304-1 9914832纳米硅薄膜与纳米技术进展[会]/林鸿溢//第六届全国固体薄膜学术会议论文集.—1～3(D)开展纳米科学技术研究,是......
本文采用数值模拟方法，在考虑短沟效应、开态电流、关态电流和开路电压增益等因素的基础上，首次给出ＧＣＨＴ低压工作下（０．８Ｖ）的设计容区图，清晰地反......
采用铕离子注入热生长ＳｉＯ２ 薄膜的方法，获得掺杂剂量为１０１４ｃｍ － ２及１０１５ｃｍ － ２的ＳｉＯ２∶Ｅｕ３＋ 硅基复合膜，研究了该薄膜的光致发光退火特性．经１０００℃退火后观察到Ｅｕ３＋ 的红光......
结合硅片低温键合和中等剂量的氢离子注入，用智能剥离技术（Ｓｍ ａｒｔ－ｃｕｔ○Ｒ）成功地制备了７６ｍ ｍ 的ＳＯＩ材料．用原子力显微镜（ＡＦＭ）测得表面粗糙度约为７ｎｍ ，比普通的抛......
报道了用氦离子注入智能剥离形成SOI结构硅片的新技术，介绍了这种技术的工艺和用剖面透射电镜研究的结果。氦离子用等离子体浸没离......
通过数值模拟手段 ,用归一化的方法研究了界面陷阱、硅膜厚度和沟道掺杂浓度对 R- G电流大小的影响规律 .结果表明 :无论在 FD还是......
提出在 SOI p- MOSFET中采用 Ge Si源 /漏结构 ,以抑制短沟道效应 .研究了在源、漏或源与漏同时采用 Ge Si材料对阈值电压漂移、漏......
本文在对 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )宽......
利用 L PCVD Si O2 和多晶硅作牺牲层和悬臂梁技术 ,解决了多晶硅应力释放问题以及微机械开关工艺与 IC工艺兼容技术问题 ,获得了......
对 U TB器件的各结构参数进行了优化 ,给出了 UTB器件设计的指导方向 .在 U TB器件的设计中 ,有三个重要参数 ,即器件的源漏提升高......
提出了一种新的全耗尽SOIMOSFETs阈值电压二维解析模型.通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数,氧化层硅界面处的......
玻璃的组成除硅以外还有相当量金属氧化物。属路易士酸。可以催化分解固定液。因此现代刚性玻璃毛细管柱均需经酸淋洗除去金属氧......
弹性玻璃毛细管气相色谱柱的出现,为毛细管色谱技术提供了一种新柱型。因为玻璃中含有大量金属氧化物,所以弹性玻璃毛细管内壁的......
纳米技术开始从衬底阶段启动。衬底选择将使衬底设计与器件结构之间的界线不复存在。
Nanotechnology began to start from the s......
就不同边缘注入剂量对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响进行了研究。实验结果表明不足的边缘注入将会产生边缘背栅寄生晶体......
