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本文利用卢瑟福背散射及沟道（ＲＢＳ／Ｃ）技术，二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术等研究了ＭｅＶＳｉ离子束轰击对ＢＦ２注入Ｓｉ样品特性的影响．结果表明，退火后在ＢＦ２注入形成的ＰＮ结结区内仍......
一、蛏田（埕）的选择和改造1．蛏田的选择蛏田应选择在淡水注入区干露时间小于6小时的内湾滩涂，潮流畅通而又不太急。一般选择中潮区，浪大......
GaAs基量子级联激光器的出现,在器件的设计制作和处理工艺上开辟了有意义的前景.本文概述了近年来GaAs基量子级联激光器在波导核心......
量子级联激光器是一种基于子带间电子跃迁的新型单极光源。随着量子级联技术的发展，短波量子级联激光器的发展尤为重要。文章简单地......
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4 纳米器件研制进展和发展趋势人们预测到2012年硅FET的栅长可达到35nm或许更小，这很可能是一个临界尺寸。这时不仅要遇到高电场下......
