重掺硼相关论文
系统研究了点缺陷对晶体硅中氧沉淀生成的影响,及点缺陷和氧沉淀对重掺硼直拉硅单晶p/p~+外延片中铜沉淀的影响.样品先在不同的气......
我们制备了尺寸为2.4-6.7nm重掺硼浓度为17-60％的硅纳米晶体.在掺硼浓度低于60％时，硅纳米晶体仍保持较好的金刚石结构.随着纳米晶......
本文对直拉单晶硅材料生长外延重掺硼的晶硅薄膜，并在高温下烧结与以往的铝吸杂比较，通过改变背场烧结的工艺条件来改善电池性能。并......
本文讨论了影响P/P高阻厚层硅外延片外延层电阻率稳定控制的主要因素,采取立式常压外延,利用背面封闭技术,充分抑制了高温状态下低......
小角晶界是Si单晶中的严重缺陷,生产中需要极力避免。对于重掺B直拉Si单晶,当掺杂浓度接近固溶度时就容易产生小角晶界。对直拉Si......
对比研究了轻掺硼（1.5×10^（16）cm^（-3））和重掺硼（1.2×10^（20）cm^（-3））直拉硅片上维氏压痕周围的残余应力分布及压痕位错在900℃滑移......
本文针对重掺硼直拉单晶硅片中流动图形缺陷（FPDs）的显示进行了一系列实验，得到了一种能够腐蚀出重掺硼硅片中FPDs的Secco腐蚀液配方......
系统介绍了直拉重掺硼(B)硅单晶研究的最新进展.主要内容包括重掺B硅单晶的基本性质,利用重掺B籽晶进行无缩颈硅单晶生长技术,重掺......
以重掺硼直拉单晶硅片为衬底的p／p+外延片用于制造集成电路时,可避免CMOS器件的闩锁效应。因此重掺硼直拉硅单晶是一种重要的硅材料......
小角晶界是重掺硼直拉<111>单晶硅生产制造过程中出现的严重缺陷,生产中需要避免。主要研究掺杂浓度对小角晶界的影响,通过实验发......
现代超大规模集成电路(ULSI)制造过程的主流工艺为COMS工艺。COMS工艺中普遍采用N/N~+、P/P~+的外延结构，这种以重掺杂硅片为衬底的......
