重掺硼相关论文
小角晶界是Si单晶中的严重缺陷,生产中需要极力避免。对于重掺B直拉Si单晶,当掺杂浓度接近固溶度时就容易产生小角晶界。对直拉Si......
本文针对重掺硼直拉单晶硅片中流动图形缺陷（FPDs）的显示进行了一系列实验，得到了一种能够腐蚀出重掺硼硅片中FPDs的Secco腐蚀液配方......
系统介绍了直拉重掺硼(B)硅单晶研究的最新进展.主要内容包括重掺B硅单晶的基本性质,利用重掺B籽晶进行无缩颈硅单晶生长技术,重掺......
随着信息社会的不断发展，微电子工业对国民经济发展所起的作用越来越大。半导体硅材料是微电子产业的基础材料，也是信息技术产业的支......
小角晶界是重掺硼直拉<111>单晶硅生产制造过程中出现的严重缺陷,生产中需要避免。主要研究掺杂浓度对小角晶界的影响,通过实验发......
现代超大规模集成电路(ULSI)制造过程的主流工艺为COMS工艺。COMS工艺中普遍采用N/N~+、P/P~+的外延结构，这种以重掺杂硅片为衬底的......
