直拉单晶硅相关论文
大尺寸直拉单晶硅的“增效降本”是当前光伏企业急需解决的问题。本文采用有限元体积法对φ300 mm直拉单晶硅生长过程分别进行稳态......
直拉单晶硅是半导体行业最重要的基础材料，半导体技术的快速发展要求硅材料行业生产直径更大、质量更高即更低缺陷密度的单晶硅。本......
近年来的研究表明，在直拉单晶硅(Czochralski silicon，CZ-Si)中掺氮可以用于调控原生氧沉淀和空洞型缺陷，同时，掺氮直拉单晶硅(NCZ-Si)......
太阳能是一种重要的绿色能源,而太阳电池是将太阳能转化为电能的有效器件。目前,应用最广泛的是硅太阳电池,但是其成本比较高,还没......
氧和氮是直拉硅单晶中非故意掺杂的重要杂质,它们显著影响直拉硅单晶的性能。傅立叶变换红外光谱(FTIR)是研究上述两种杂质在直拉......
鉴于过渡族金属铜和铁的玷污对硅基材料和器件的影响,研究直拉单晶硅中铜沉淀和铁沉淀的行为,不仅在理论上对“缺陷工程”的丰富和......
研究退火消除直拉单晶硅中热施主的效果以及在后续热过程中热施主的再形成规律。实验结果显示,采用650℃保温40min的退火可有效消......
本文重点分析了单晶炉的二次加料过程的衍变,对每种加料方式的优劣都实现了研究,同时指出单晶炉二次加料以后的发展方向.......
本文主要研究了在氢气下退火对掺氮直拉硅中热施主(TDs)和氮氧(N-O)复合体的影响.实验结果表明,在氢气下低温退火对热施主和N-O复......
利用四探针测试和三点弯曲法研究了掺入等价元素Ge的CZSi 450℃退火时晶体电学参数稳定性和硅片机械强度．发现Ge能抑制CZSi中氧施主......
1.3.2.4单晶硅品质的提升随着光伏市场的日益发展,硅片作为光伏组件的关键材料之一,对其品质的要求越来越高。太阳电池用直拉单晶......
本文针对重掺硼直拉单晶硅片中流动图形缺陷（FPDs）的显示进行了一系列实验，得到了一种能够腐蚀出重掺硼硅片中FPDs的Secco腐蚀液配方......
利用傅立叶红外光谱仪研究了掺氮直拉单晶硅（NCZ）和普通直拉单晶硅（CZ）的原生氧沉淀以及模拟太阳电池制备热处理工艺下的氧沉淀行为。......
CZSi中掺入等价元素锗，能影响低温退火时氧沉淀过饱和成核的成核速率与密度。在700℃退火时，抑制杆状氧沉淀的生成，在900℃退火时，锗对......
世界首个旋式铸造单晶炉由多晶硅铸锭炉改造而成,单炉硅锭重量可达1200千克。经测算,相比传统直拉单晶硅,旋式铸造单晶炉生产铸造......
<正>1晶体硅材料和硅片研究进展1.1晶体硅材料发展概况硅材料是半导体工业中最重要且应用最广泛的半导体材料,是微电子工业和光伏......
为了提高单晶炉副室清理器的清理效果和适用范围,研究了一种新型单晶炉副室清理器。结合副室的结构特点,分析了现有清理器存在的问......
直拉单晶硅(CZ)中的氧沉淀一直是硅材料学术界重要的研究课题。业已证明空位和氮都能够促进直拉单晶硅中的氧沉淀。MEMC公司根据空......
本文采用晶体生长软件CGSim对直拉单晶硅生长过程中固液界面进行了研究。讨论了不同晶体等径长度下固液界面形状的特点,模拟了晶体......
利用Cz法生长的单晶硅是半导体和光伏行业的重要基材,但该常规工艺存在一定缺陷:单晶硅头部容易产生较多OSF缺陷,导致头部无法使用......
氧和碳作为太阳能级直拉单晶硅的非金属杂质,在晶体中可形成微缺陷,影响晶体的电阻率,造成后期制作的太阳能电池性能不稳定。本文......
为了降低大直径硅单晶生长过程中所引入的氧、碳杂质含量,提高硅单晶质量,特对18英寸直拉硅单晶炉的热系统进行了改进.实验结果表......
晶体硅不仅是微电子工业的基础材料，也是光伏工业的基础材料，其体内的杂质或缺陷会显著地影响各种硅基器件的性能。其中，过渡族金属就......
一引言单晶硅的主要参数有型号、电阻率、少子寿命、位错密度、晶向、碳氧含量等。它们对单晶硅棒的品质有决定性的作用，并且影响着......
随着半导体行业的飞速发展,器件厂家对硅片的高集成度要求日趋迫切,解决的办法就是增大硅片直径,所以近年来国内许多单晶炉生产厂......
本文研究了直拉单晶硅棒不同位置切片制成的电池片光致衰减的特性，发现了硅棒不同位置沿晶体轴向氧浓度的变化趋势，探究了单晶硅棒氧......
直拉单晶硅生长过程中放肩阶段常由于断棱的出现导致无法顺利进入等径生长。为研究影响断棱的关键特征参数,提出采用最大互信息系......
在直拉单晶硅生长的过程中，自然对流对晶体界面的形状、温度场及应力分布影响很大。本文采用二维模型对熔体内自然对流对单晶硅的影......
阐述了粒状多晶硅生产的基本原理、生产工艺以及美国 MEMC Pasadena公司的粒状多晶硅的生产情况 ,并就粒状多晶硅生产过程中的质量......
采用直拉法生长普通和掺氮硅单晶，研究不同含氮浓度的晶体中氧化诱生层错（OSF）的行为。从4组晶体的相同位置取样，并对样品进行1100℃湿......
研究了加热温度与冷却速率对热处理直拉单晶硅少子寿命和间隙铁含量的影响。结果表明,直拉单晶硅在300～1050℃加热40 min,以50℃/s......
众所周知,碳杂质是直拉单晶硅中一种有害的杂质,严重影响材料的性能。在半导体硅片中,碳会使器件的击穿电压大大降低,漏电流增加;......
超大规模集成电路(Integrated Circuit, IC)的发展对硅单晶材料提出了越来越严格的要求,随着集成电路特征线宽的减小,利用硅片的内......
氧是直拉硅单晶中的最重要的杂质之一，控制硅中氧、氧沉淀的量及其分布以及氧沉淀的工艺诱生缺陷一直是硅材料和集成电路工艺研究的......
单晶炉是生产太阳能电池所需单晶硅的拉晶装置,提高单炉的投料量来增加单晶炉的生产产量受到各国的重视。文章阐述了国内外在提高......
直拉硅单晶是集成电路的基础材料,其根本原因是直拉硅单晶不可避免地含有氧杂质。一方面氧杂质具有提高硅单晶机械强度的作用；另一......
在集成电路工艺过程中，金属玷污会对器件的性能有着致命的影响。生产中除了避免金属污染源接触外，还采用吸杂工艺来降低金属杂质。相......
自晶体管诞生至今的半个世纪中，硅材料始终是电子和微电子工业的主流材料。半导体硅材料为发达的电子工业提供了坚实的技术和物质基......
为了研究热屏位置对于直拉单晶硅的熔体和固液界面的影响,采用CGSim有限元软件对200 mm直拉单晶硅生长过程进行了模拟,结果表明,......
重点研究了直拉（CZ）硅中氧沉淀在快速热处理（RTP）和常规炉退火过程中的高温消融以及再生长行为．实验发现，RTP是一种快速消融氧沉淀的有效......
本文采用紊流模型对提拉大直径单晶硅时,对晶体旋转、坩埚旋转及二者共同作用三种情况下,熔体内的流线、等温线、氧的浓度分布、紊......
在直拉单晶硅生长过程中,埚跟比(即坩埚上升速度与晶体提拉速度的比值)的设置非常重要,它直接决定了液面位置的稳定性。其不但影响......
