采用干法刻蚀和湿法腐蚀工艺刻蚀单晶(002〉晶向AlN薄膜.干法刻蚀中采用电感耦合等离子体(ICP)设备在不同功率和腔压等工艺参数以......

讨论了应用高频电感耦合等离子体(ICP)消解氟里昂类废弃物的可行性及与国际先进技术的比较;应用低功率ICP系统进行氟里昂12的模拟......

研究了低功率有机ICP中乙醇对试液物性 (密度、粘度、表面张力 )及等离子体激发参数 (气体温度、激发温度、电子密度和电离温度 )......

利用电感耦合等离子体(ICP)装置对分子束外延(MBE)法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜的Mg组分进行了测试.经理论分析,得到使......

随着InSb红外焦平面阵列探测器的发展，焦平面阵列规模不断增大，像元面积越来越小。湿法刻蚀因为其各向同性刻蚀的特点，导致像元的钻蚀......

用电感耦合等离子（ICP）发射光谱法，快速同时测定催化裂化、催化裂解催化剂中的微量铁、镍、铜、钒、钠、锑等金属元素含量，通过谱线选......

以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆接触金属体系,通过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀的预处理,在氢化物气相外延法生长的单晶氮化镓(GaN)材料的N面......

本文研究了ICP-AES测定镁钇合金中17种稀土和非稀土元素的方法。选择了合适的分析线及ICP操作参数。探讨了酸度,载气和基体的变化......

ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......

在MEMS器件及系统的制造中,电感耦合等离子体(ICP)对硅片的刻蚀工艺由于具备操作简单、各向异性性能好、刻蚀速率快、成本低等特点......

针对以电感耦合等离子体(ICP)为激发光源的分析仪器,研究ICP的温度空间分布对样品电离和激发具有重要意义。本研究建立了ICP的二维......

为改善ICP光源接口的采样能力,引入了一种三维移动装置。光源安装台固定于三维移动装置顶部,构成ICP光源系统移动台。针对移动台的......

为了提高微电子机械系统(MEMS)器件的成品率和集成度,介绍了一种应用于圆片级封装的硅帽结构。重点介绍了该硅帽结构的设计和加工......

电感耦合等离子体发射光谱技术是实验室内进行元素定量分析的重要方法之一。其应用范围从原来的冶金，工矿扩展到生命科学，环境保护，有......

随着城市污水量的不断增加,污水处理过程中产生的污泥量也在不断增加。污泥中不仅含有丰富的营养元素,也含有难降解的金属有毒物质......

空间-地面观测、惯性约束聚变、极紫外线光刻技术等一些具有挑战性的国际前沿科学工程项目中，对大型超精密硅基材料光学元件的需求......

应用JY—Ultima电感耦合等离子体原子发射光谱仪,通过对各种最佳分析条件的探讨和验证,建立了HG—ICP—AES测定生物样品中痕量铅的......

随着InSb红外焦平面探测器的发展，焦平面阵列规模越来越大，像元面积越来越小。湿法刻蚀因其各向同性的特点，导致像元钻蚀严重，越来越难......

传统的湿法腐蚀工艺由于各向同性的特点,象元钻蚀严重,导致器件占空比下降,限制了锑化铟大面阵红外焦平面的发展。基于电感耦合等......

文章仅就ICP-AES分析中,样品引入电感耦合等离子体(ICP)这一热门研究课题作一简单综述。包括气体、固体(粉末)和液体(包括悬浊液)......