刻蚀形貌相关论文
硅是半导体行业最重要的材料,通过金属辅助化学刻蚀方法制备硅的微纳米结构以其工艺简单、成本低廉、生长参数易于控制等优点得到......
磁控溅射镀膜技术是目前镀膜工业化生产中最主要的技术之一。由于它具有沉积速率高、沉积温度低、薄膜质量好等特点,所以应用非常......
以HBr作为刻蚀气体,采用ICP金属刻蚀系统对气体流量、刻蚀压力、离子源功率、偏压功率等工艺参数与刻蚀速率、刻蚀选择比和侧壁垂......
报道了反应离子刻蚀转移图形过程中对Amonil光刻胶的刻蚀参数优化的结果.利用软膜紫外光固化纳米压印技术,首先制备了线宽/间距均......
以SF6／C2H4为刻蚀气体，使用Corial200IL感应耦合等离子体（ICP）刻蚀系统，进行Si等离子刻蚀技术研究。通过调节刻蚀气体SF6与侧壁钝化保护......
研究应用O2反应离子刻蚀(RIE)直接深刻蚀商用有机玻璃(PMMA)片,以实现微结构的三维微加工,工艺简单,加工成本较低,为微器件的高深......
采用感应耦合等离子体刻蚀技术,以CF4/Ar/O2为反应气体对熔石英元件表面进行修饰,研究并分析了CF4和Ar流量对刻蚀速率、熔石英表面......
不同角度的GaP表面形貌刻蚀主要依赖于刻蚀参数的调节以及光刻胶的形貌,但要得到能够重复的光刻胶形貌是很困难的.研究了如何通过......
首次报道了HgCdTe微台面焦平面探测列阵成形工艺的干法刻蚀技术有关刻蚀形貌的一些研究结果．从HgCdTe外延材料的特点出发，详细分析了......
采用接触式紫外光刻和反应离子刻蚀工艺在ZnS衬底上制备二维亚波长结构抗反射表面。在优化的光刻工艺下,以CH4、H2及Ar的混合气体......
当前主要微型功能器件中的芯片和微型传感器都采用半导体材料制造,其中单晶硅的使用最为广泛,其加工技术的不断提升和改善,推动了......
随着集成电路规模的不断扩大和电子元器件表面特征尺寸的不断缩小,等离子体刻蚀凭借其独特的优越性而被广泛地应用到半导体制造领......
p-GaN栅沟槽侧壁与AlGaN表面特性直接影响栅注入（GIT）型AlGaN/GaN HEMT器件的输出特性及击穿特性。对比研究了两种刻蚀气体（SF6/BCl3......
SiC材料由于具有非常强的化学稳定性与机械硬度,不能用酸或碱性溶液对其进行腐蚀,在MEMS制备工艺中,通常采用干法刻蚀来制备SiC结......
传统的湿法腐蚀工艺由于各向同性的特点,象元钻蚀严重,导致器件占空比下降,限制了锑化铟大面阵红外焦平面的发展。基于电感耦合等......
期刊
SiC材料由于其高的禁带宽度（2.3~3.4 eV）,10倍于Si的击穿电压而越来越受到重视,尤其是在高温环境中,是制作高温器件的理想材料。但同......
本文借助Comsol和Matlab软件模拟了直流磁控溅射圆平面靶系统的磁场分布和荷电粒子分布,对不同磁场强度和阴极电压条件下的荷电粒......
