电流增益截止频率相关论文
毫米波AlGaN/GaN HEMT的应用进程中,器件的频率特性是至关重要的。其中,器件的电流增益截止频率fT和最高振荡频率fmax更是标志高频......
氮化镓(GaN)材料禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和漂移速度快、与AlGaN材料的异质结不掺杂即可形成高浓度的二维电子气、沟道......
基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的Al-GaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基......
采用再生长n+ GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs),器件尺寸得到有效......
从器件版图结构的布局布线出发，提出了射频器件性能增强的的方法。寄生电容，寄生电阻会明显弱化大尺寸器件的射频性能，通过多个小尺寸......
基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率（fT）和最大振荡频率（fmax）的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）.基于MOCVD......
采用再生长n＋GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率（f_T）的InAlN/GaN异质结场效应晶体管（HFETs）,器件尺寸得到有效缩小,......
基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长Si重掺杂的n+GaN工艺,在AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)中实现非合金的欧姆接触......
